IRF7379PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。
N-CH 30
—
—
P -CH -30 -
—
N-CH - 0.032 -
P -CH - -0.037 -
— 0.038 0.045
N沟道
— 0.055 0.075
— 0.070 0.090
P沟道
— 0.130 0.180
N-CH 1.0 -
—
P -CH -1.0 -
—
N-CH 5.2 -
—
P沟道2.5 -
—
N-CH -
— 1.0
P -CH -
— -1.0
N-CH -
—
25
P -CH -
— -25
N-P -
— ±100
N-CH -
—
25
P -CH -
—
25
N-CH -
— 2.9
P -CH -
— 2.9
N-CH -
— 7.9
P -CH -
— 9.0
N-CH - 11 -
P -CH -
11
—
N-CH -
21
—
P -CH -
17
—
N-CH -
22
—
P -CH -
25
—
N-CH - 12 -
P -CH -
18
—
N-P - 4.0 -
N-P - 6.0 -
N-CH - 520 -
P -CH - 440 -
N-CH - 180 -
P -CH - 200 -
N-CH -
72
—
P -CH -
93
—
单位
V
V /°C的
V
S
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.9A
V
GS
= -10V ，我
D
=- 4.3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=- 3.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.4A
V
DS
= -24V ，我
D
= -1.8A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= ± 20V
N沟道
I
D
= 2.4A ，V
DS
= 24V, V
GS
= 10V
P沟道
I
D
= -1.8A ，V
DS
= -24V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 2.4A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 6.2
P沟道
V
DD
= -15V ，我
D
= -1.8A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 8.2
从铅之间的6mm （0.25英寸）。
封装和裸片联络中心
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， = 1.0MHz的
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部泄油Inductace
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
nH
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
—
— 3.1
—
— -3.1
A
—
—
46
—
— -34
—
— 1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.8A ，V
GS
= 0V
V
—
— -1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.8A ，V
GS
= 0V
—
47
71
N沟道
ns
—
53
80
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.4A ，的di / dt = 100A / μs的
—
56
84
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.8A ，的di / dt = -100A / μs的
—
66
99
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图10）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在FR- 4电路板，
t
≤
10sec.
N沟道我
SD
≤
2.4A ， di / dt的
≤
73A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
P沟道我
SD
≤
-1.8A ， di / dt的
≤
90A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
2
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