W180
峰值抑制EMI解决方案
特点
赛普拉斯PREMIS 系列产品
生成一个优化的EMI在时钟信号
产量
可选输出频率范围
单1.25 ％或3.75 ％，下降或中心扩展输出
集成的环路滤波器元件
采用3.3V或5V电源供电
低功耗CMOS设计
提供8引脚SOIC （小外形综合
电路）
FS2
0
0
1
1
FS1
0
1
0
1
-01, 51
（兆赫）
8 < F
IN
＆ LT ; 10
10 < F
IN
＆ LT ; 15
15 < F
IN
＆ LT ; 18
18 < F
IN
< 28
SS%
0
1
表1.调制宽度的选择
W180-01, 02, 03
产量
W180-51, 52, 53
产量
F
in
＆ GT ; F
OUT
＆ GT ; F
in
– 1.25% F
in
+ 0.625 ％ > F
in
> - 0.625 ％
F
in
＆ GT ; F
OUT
＆ GT ; F
in
– 3.75% F
in
+ 1.875 ％ > F
in
> -1.875 ％
表2.频率范围选择
W180选项＃
-02, 52
（兆赫）
8 < F
IN
＆ LT ; 10
10 < F
IN
＆ LT ; 15
不适用
不适用
-03, 53
（兆赫）
不适用
不适用
15 < F
IN
＆ LT ; 18
18 < F
IN
< 28
关键的特定连接的阳离子
电源电压： ............................................ V
DD
= 3.3V±5%
或V
DD
= 5V±10%
频率范围： ............................... 8兆赫< F
in
< 28兆赫
循环周期抖动： ........................................ 300 PS （最大。 ）
可选的扩频百分比： .................... 1.25 ％或3.75 ％
输出占空比： ...............................六十〇分之四十零％ （最坏情况）
输出上升时间和下降时间： ................................... 5纳秒（最大）
简化的框图
3.3V或5.0V
销刀豆网络gurations
SOIC
W180-01/51
CLKIN或X1
NC或X2
GND
SS%
1
2
3
4
8
7
6
5
FS2
FS1
VDD
CLKOUT
X1
XTAL
输入
X2
W180
扩频
产量
（电磁干扰抑制）
W180-02/03
W180-52/53
CLKIN或X1
NC或X2
GND
SS%
1
2
3
4
8
7
6
5
SSON ＃
FS1
VDD
CLKOUT
3.3V或5.0V
振荡器或
参考输入
W180
扩频
产量
（电磁干扰抑制）
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-07156牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2005年10月5日
