W180
峰值抑制EMI解决方案
特点
赛普拉斯PREMIS 系列产品
生成一个优化的EMI在时钟信号
产量
可选输出频率范围
单1.25 ％或3.75 ％，下降或中心扩展输出
集成的环路滤波器元件
采用3.3V或5V电源供电
低功耗CMOS设计
提供8引脚SOIC （小外形综合
电路）
表1.调制宽度的选择
SS%
0
1
W180-01, 02, 03
产量
F
in
≥
F
OUT
≥
F
in
–
1.25%
F
in
≥
F
OUT
≥
F
in
–
3.75%
W180-51, 52, 53
产量
F
in
+ 0.625%
≥
F
in
≥
–
0.625%
F
in
+ 1.875%
≥
F
in
≥
–1.875%
表2.频率范围选择
W180选项＃
FS2
0
0
1
1
FS1
0
1
0
1
-01, 51
（兆赫）
8
≤
F
IN
≤
10
10
≤
F
IN
≤
15
15
≤
F
IN
≤
18
18
≤
F
IN
≤
28
-02, 52
（兆赫）
8
≤
F
IN
≤
10
10
≤
F
IN
≤
15
不适用
不适用
-03, 53
（兆赫）
不适用
不适用
15
≤
F
IN
≤
18
18
≤
F
IN
≤
28
关键的特定连接的阳离子
电源电压： ........................................... V
DD
= 3.3V±5%
或V
DD
= 5V±10%
频率范围： .............................. 8兆赫
≤
F
in
≤
28兆赫
循环周期抖动： ....................................... 300 PS（最大）
可选的扩频百分比： .................... 1.25 ％或3.75 ％
输出占空比： ...............................六十〇分之四十零％ （最坏情况）
输出上升和下降时间： ................................. 5纳秒（最大）
简化的框图
3.3V或5.0V
销刀豆网络gurations
SOIC
W180-01/51
X1
XTAL
输入
CLKIN或X1
NC或X2
GND
SS%
X2
1
2
3
4
8
7
6
5
FS2
FS1
VDD
CLKOUT
W180
扩频
产量
（电磁干扰抑制）
W180-02/03
W180-52/53
CLKIN或X1
NC或X2
GND
SS%
1
2
3
4
8
7
6
5
SSON ＃
FS1
VDD
CLKOUT
3.3V或5.0V
振荡器或
参考输入
W180
扩频
产量
（电磁干扰抑制）
PREMIS是赛普拉斯半导体公司的商标。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-07156牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月25日
W180
引脚德网络nitions
引脚名称
CLKOUT
CLKIN或X1
PIN号
5
1
针
TYPE
O
I
引脚说明
输出调制频率：
在unmodu-的调频副本
迟来的输入时钟（ SSON ＃断言） 。
晶体连接或外部基准频率输入：
该引脚有
双重功能。它可以或者可以连接到一个外部晶体，或将一个
外部参考时钟。
水晶连接：
输入用于连接外部晶振。如果使用EX-
ternal参考，该引脚必须悬空。
扩频控制（低电平有效） ：
断言这个信号（低电平有效）
打开内部调制波形。该引脚具有内部上拉下来
电阻器。
频率选择位（S ）， 1和2 ：
这些引脚选择的频率范围
的操作。请参阅
表2中。
这些引脚具有内部上拉电阻。
调制宽度的选择：
当扩频功能开启，
该引脚用于选择变化和峰值EMI降低的量
期望的输出信号。内部上拉电阻。
电源连接：
连接到3.3V或5V电源供电。
接地连接：
这应该被连接到公共的地平面。
NC或X2
SSON ＃
2
8 (-02, -03
52, 53)
7, 8 (-01, 51)
4
I
I
FS1 ： 2
SS%
I
I
VDD
GND
6
3
P
G
文件编号： 38-07156牧师**
第2 9
W180
概观
在W180的产品是一个系列中的赛普拉斯设备
PREMIS家庭。该PREMIS系列采用了最新的
在PLL扩频频率合成技进步
niques 。通过频率调制用低频输出
昆西载体，峰值EMI的大大降低。使用此技的
术使系统能够通过越来越难的EMI测试
在不用进行昂贵的屏蔽或重新设计。
在一个系统中，不仅是EMI的降低，在各种时钟线
而且在所有的信号，这些信号的时钟同步。
因此，采用这种技术的增加与所带来的好处
在系统中的地址线和数据线的数目。该SIM-
plified框图第1页上显示了一个简单implementa-
化。
输入。输出频率则等于P / Q的比值
倍基准频率。 （注：对于W180的输出
频率等于输入频率。 ）独特的特征
扩展频谱频率时序发生器是一个
调制波被叠加在输入到VCO 。
这使得VCO输出到横跨预慢慢扫
确定的频带。
由于调制频率通常为1000倍
比基本时钟速度较慢，扩频亲
塞斯对系统性能的影响不大。
频率选择用SSFTG
在扩展频谱频率时序发生， EMI重
duction取决于形状，调制率，以及
频率调制波形。而形状和
调制波的频率是固定的一个给定的
频率，调制百分比可以变化。
使用频率选择位（ FS2 ： 1针） ，频率范围
可以设置（见
表2）。
传播比例设置与引脚
所示的SS ％
表1中。
一个更大的传播比例提高降低EMI 。然而
以往，大价差百分比既可以超过系统
最大频率的评分或降低平均频率来
一个地步，性能会受到影响。由于这些原因，
提供了传播的百分比选项。
功能说明
在W180采用锁相环（PLL）的频率MOD-
乌拉特输入时钟。其结果是输出时钟的频
昆西正在慢慢席卷了附近的输入窄带显
宇空。基本电路拓扑结构示于
图1 。
输入
参考信号由Q分离，输入到相位检测器。
来自VCO的信号被除以P和反馈到
鉴相器也。该PLL将迫使的频率
VCO的输出信号发生改变，直到分割输出信号
和在相位检测器的划分基准信号匹配
V
DD
时钟输入
频率。
分频器
Q
相
探测器
收费
泵
参考输入
Σ
VCO
POST
分频器
CLKOUT
（电磁干扰抑制）
调制
波形
反馈
分频器
P
PLL
GND
图1.功能框图
文件编号： 38-07156牧师**
第3 9
W180
绝对最大额定值
应力大于本表所列可能导致人员
永久性损坏设备。这些代表一个压力等级
只。该器件在这些或任何其他条件的操作
.
上面这个特定的操作区域的特定网络版Fi的
阳离子是不是暗示。延长近郊最大的条件
消耗臭氧层物质会影响其可靠性。
等级
-0.5到+7.0
-65到+150
0至+70
-55到+125
0.5
单位
V
°C
°C
°C
W
参数
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
A
T
B
P
D
描述
任一引脚电压相对于GND
储存温度
工作温度
在偏置环境温度
功耗
DC电气特性
:
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 70℃ ，V
DD
= 3.3V ±5%
参数
I
DD
t
ON
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
IL
I
IH
I
OL
I
OH
C
I
R
P
Z
OUT
描述
电源电流
电时间
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电流
输出高电流
输入电容
输入上拉电阻
时钟输出阻抗
500
25
注1
注1
@ 0.4V, V
DD
= 3.3V
@ 2.4V, V
DD
= 3.3V
15
15
7
2.4
–50
50
2.4
0.4
首先锁定时钟周期后，电
良好
测试条件
分钟。
典型值。
18
马克斯。
32
5
0.8
单位
mA
ms
V
V
V
V
A
A
mA
mA
pF
k
注意：
1.输入FS2 ： 1& SS ％有一个上拉电阻;输入SSON ＃有一个下拉电阻。
文件编号： 38-07156牧师**
第5 9
W180
峰值抑制EMI解决方案
特点
赛普拉斯PREMIS 系列产品
生成一个优化的EMI在时钟信号
产量
可选输出频率范围
单1.25 ％或3.75 ％，下降或中心扩展输出
集成的环路滤波器元件
采用3.3V或5V电源供电
低功耗CMOS设计
提供8引脚SOIC （小外形综合
电路）
FS2
0
0
1
1
FS1
0
1
0
1
-01, 51
（兆赫）
8 < F
IN
＆ LT ; 10
10 < F
IN
＆ LT ; 15
15 < F
IN
＆ LT ; 18
18 < F
IN
< 28
SS%
0
1
表1.调制宽度的选择
W180-01, 02, 03
产量
W180-51, 52, 53
产量
F
in
＆ GT ; F
OUT
＆ GT ; F
in
– 1.25% F
in
+ 0.625 ％ > F
in
> - 0.625 ％
F
in
＆ GT ; F
OUT
＆ GT ; F
in
– 3.75% F
in
+ 1.875 ％ > F
in
> -1.875 ％
表2.频率范围选择
W180选项＃
-02, 52
（兆赫）
8 < F
IN
＆ LT ; 10
10 < F
IN
＆ LT ; 15
不适用
不适用
-03, 53
（兆赫）
不适用
不适用
15 < F
IN
＆ LT ; 18
18 < F
IN
< 28
关键的特定连接的阳离子
电源电压： ............................................ V
DD
= 3.3V±5%
或V
DD
= 5V±10%
频率范围： ............................... 8兆赫< F
in
< 28兆赫
循环周期抖动： ........................................ 300 PS （最大。 ）
可选的扩频百分比： .................... 1.25 ％或3.75 ％
输出占空比： ...............................六十〇分之四十零％ （最坏情况）
输出上升时间和下降时间： ................................... 5纳秒（最大）
简化的框图
3.3V或5.0V
销刀豆网络gurations
SOIC
W180-01/51
CLKIN或X1
NC或X2
GND
SS%
1
2
3
4
8
7
6
5
FS2
FS1
VDD
CLKOUT
X1
XTAL
输入
X2
W180
扩频
产量
（电磁干扰抑制）
W180-02/03
W180-52/53
CLKIN或X1
NC或X2
GND
SS%
1
2
3
4
8
7
6
5
SSON ＃
FS1
VDD
CLKOUT
3.3V或5.0V
振荡器或
参考输入
W180
扩频
产量
（电磁干扰抑制）
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-07156牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2005年10月5日
W180
绝对最大额定值
[1]
应力大于本表所列可能导致
永久损坏设备。这些代表的应力
等级而已。该设备在这些或任何其他条件的操作
.
系统蒸发散高于在此经营的部分规定
规范是不是暗示。扩展最大条件
期间可能会影响其可靠性。
等级
-0.5到+7.0
-65到+150
0至+70
-55到+125
0.5
单位
V
°C
°C
°C
W
参数
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
A
T
B
P
D
描述
任一引脚电压相对于GND
储存温度
工作温度
在偏置环境温度
功耗
DC电气特性
:
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 70℃ ，V
DD
= 3.3V ±5%
参数
I
DD
t
ON
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
IL
I
IH
I
OL
I
OH
C
I
R
P
Z
OUT
描述
电源电流
电时间
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电流
输出高电流
输入电容
输入上拉电阻
时钟输出阻抗
500
25
注2
注2
@ 0.4V, V
DD
= 3.3V
@ 2.4V, V
DD
= 3.3V
15
15
7
2.4
–50
50
2.4
0.4
首先锁定时钟周期后，电
良好
测试条件
分钟。
典型值。
18
马克斯。
32
5
0.8
单位
mA
ms
V
V
V
V
A
A
mA
mA
pF
k
注意事项：
1.
单电源供电：
对任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.输入FS2 ： 1& SS ％有一个上拉电阻;输入SSON ＃有一个下拉电阻。
文件编号： 38-07156牧师* B
第10个5
QQ：2880707522 复制
