位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1623页 > M2S56D20AKT-10 > M2S56D20AKT-10 PDF资料 > M2S56D20AKT-10 PDF资料2第22页
DDR SDRAM （ Rev.1.0 ）
七月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256 MD ouble ATA 吃了S ynchronous DRAM
操作说明
银行激活
在DDR SDRAM有4个独立的银行。各银行通过与ACT命令激活
该行地址（ BA0,1 ） 。一排由行地址A12-0表示。最小的激活
一家银行与其他银行之间的间隔为TRRD 。
预充电
前命令停用了BA0,1指定的银行。当多个银行是活动的，
预充电所有命令（ PREA ， PRE + A10 = H ），可停用他们在同一时间。后
激进党从预充电，一个ACT命令，同一家银行可以发行。
银行激活和预充电所有（ BL = 8 ， CL = 2 ）
/ CLK
CLK
2 ACT命令/ tRCmin
tRCmin
命令
法案
TRRD
法案
读
tRAS的
PRE
激进党
法案
A0-9,11
Xa
Xb
tRCD的
Y
BL/2
0
1
Xb
A10
Xa
Xb
Xb
BA0,1
00
01
00
01
的DQ
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa4
Qa5
Qa6
Qa7
全部预充电
可以在BL / 2无数据丢失，从发出读命令预充电命令。
三菱电机
22
