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DDR SDRAM （ Rev.1.0 ）
七月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256 MD ouble ATA 吃了S ynchronous DRAM
AC时序要求（继续）
（大= 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
-75A
分钟。
45
65
75
20
20
15
15
35
1
75
200
1
1
7.8
最大
120,000
分钟。
45
65
75
20
20
15
15
35
1
75
200
1
1
7.8
-75
最大
120,000
分钟。
50
70
80
20
20
15
15
35
1
80
200
1
1
7.8
-10
最大
120,000
符号
tRAS的
TRC
tRFC
tRCD的
激进党
TRRD
tWR的
tDAL
Twtr
tXSNR
tXSRD
tXPNR
tXPRD
tREFI
AC特性参数
行活动时间
行周期时间（操作）
自动编号。以主动/自动编号。指令周期
行到列延迟
行预充电时间
法案法案延迟时间
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
内部写读命令延迟
退出自编号。对非读命令
退出自编号。到 - 读取命令
退出掉电指挥
退出掉电到 - 读取命令
平均周期刷新间隔
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
ns
TCK
TCK
TCK
s
笔记
18
17
输出负载条件
的DQ
V
TT
= V
REF
50
V
OUT
Zo=50
30pF
V
REF
V
REF
DQ
V
REF
输出时序
测量
参考点
三菱电机
19
