BTB/BTA08
离散双向可控硅（非隔离/隔离）
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
G
T2
T1
T2
G
T1
绝对最大额定值
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
参数
通态电流（全正弦波）的RMS
不重复浪涌峰值通态
电流（完整周期， TJ初始= 25°C ）
I
对于T值
复兴
通态电流临界上升率
_
I
G
= 2 x
I
GT
， TR < 100纳秒
栅极峰值电流
平均门P奥尔迪斯ipation
存储结温范围
工作结温
范围
TO-220AB
F = 60赫兹
F = 50赫兹
TC = 110℃
T = 16.7毫秒
t为20毫秒
价值
8
84
80
36
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
50
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
单位
A
A
A
s
A / μs的
A
W
°C
TP = 10毫秒
F = 120赫兹
TP = 20微秒
电气特性（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
s
无缓冲器和逻辑电平（ 3象限）
符号
测试条件
象限
CW
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
V
D
= 12 V
V
D
= V
DRM
I
T
= 100毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 % V
DRM
门敞开着TJ = 125°C
TJ = 125°C
I - III
II
分钟。
分钟。
（ di / dt的）C （ 2 ）无缓冲
R
L
= 30
R
L
= 3.3 k
TJ = 125°C
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
35
50
60
400
4.5
35
1.3
0.2
50
70
80
1000
7
V / μs的
A / MS
BTA / BTB
BW
50
mA
V
V
mA
mA
单位
