BTB/BTA08
离散双向可控硅（非隔离/隔离）
F IG 。 6 ：非重复性s冲动峰上-S大老
目前的A S INUS老田升PULS ê宽度
TP <为10ms ，一个第二受文者积水I了价值。
IT S M （A ） ，β T（A S）
1000
T J初始= 25°C
F IG 。 7 ，R elative VA门极触发电流riation ，
保持电流和拉tching电流对
结温（典型VA梅毒） 。
IG T， IH ， IL [ T J ] / IG T， IH ， IL [T J = 25 ° C]
2.5
2.0
di / dt的限制：
50A /
s
IG牛逼
IT S M
1.5
1.0
IH & IL
100
I吨
0.5
TP（ ms）的
10
0.01
0.10
1.00
10.00
T J （ ° C）
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
F IG 。 8-1 ：R的临界速度elative变化
主流VERS的增减我们（的dV / dt ）C （ typica升
值）。 S nubberles s &逻辑L伊维尔基尼类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] / S PEC后指定（ di / dt的）C
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
F IG 。 8-2 ：R的临界速度elative变化
主流VERS我们（的dV / dt ）C的增减E（典型
值）。 S TANDARD类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] / S PEC后指定（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
1.4
B
C
TW
牛逼835 / C W / B W
1.2
1.0
0.8
0.6
（的dV / dt ）C （V / μ ）
s
牛逼810 / S W
（的dV / dt ）C （V / μ ）
s
1.0
10.0
100.0
0.4
0.1
1.0
10.0
100.0
F IG 。 9 ，R elative杂物的临界速度和灰
主流VERS的增减我们结
温度。
F IG 。 10 ： DPAK和D
2
PAK牛逼有源冰箱RESIS tance
结到环境VERS我们在铜s urface
标签（印制电路板的FR 4 ，铜thicknes S：
35
∝m).
第r个第（j-一）（ ℃/ W）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
（ di / dt的） C [ T J ] / （ di / dt的） C [ T J s PEC后指定]
6
5
4
3
2
1
0
0
25
T J （ ° C）
DPAK
D = P
AK
S（ 平方米）
50
75
100
125
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
