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RF3166
输出功率不会因正常工作条件下，如果V电源电压变化
坡道
是不是足够低
V
BATT
。通过调节集电极电压到功率放大器的电压灵敏度基本上被消除。这涵盖了大部分
其中， PA将操作的情况。然而，随着电池的放电和接近其低功率范围内的
从PA最大输出功率也将有所回落。在这种情况下，它也减少V是重要
坡道
为防止
从诱导开关瞬态功率控制。这些瞬间发生的，作为控制回路放缓的结果
而不是调节功率符合V
坡道
.
由于低电池条件下的开关瞬态的V稳压
BATT
跟踪电路。在V
BATT
跟踪税务局局长
扣器组成，其检测FET的饱和度的反馈回路的。作为场效应晶体管接近饱和时，限幅调整
V
坡道
电压，以确保最小的开关瞬变。在V
BATT
跟踪电路被集成到CMOS
控制器，并且需要来自用户的附加输入。
由于无功输出匹配，在整个频率范围输出功率的变化。有许多部件的
可以使所述的效果更大或更小。功率变动直出产RF3166的示于下表中。
以下功率放大器组件通常具有相对于频率的插入损耗变化。通常，有
是微带一些长度后面的功率放大器。还有一个在定向cou-发现的频率响应
plers由于在耦合因子变化在频率，以及所述检测器二极管的灵敏度。自从
产RF3166不使用的定向耦合器与二极管检测器，这些变化不会发生。
输入阻抗变化在大多数GSM功率放大器发现。这是由于一个设备的现象，其中C
BE
和
C
CB
(C
GS
和C
SG
对于一个FET）上变化的偏置电压。用来使可变电抗器相同的原理存在于
功率放大器。的结电容是穿过结的偏置的函数。这将产生输入阻抗
变化量作为VAPC电压扫过。虽然这可能与频率构成问题拉动发射VCO的
截止频率，大多数合成器设计使用非常宽的环路带宽，快速补偿频率变化
由于提供给压控振荡器的负载变化。
该产RF3166提供了一个非常恒定负载的VCO 。这是因为产RF3166的所有阶段都在恒定的运行
偏见。作为一个结果，存在于所述输入级的到基极发射极和基极集电极结恒定电抗
电源放大器呃。
在宾夕法尼亚州的其中输出功率的噪声功率，通过改变偏置电压的控制常常是一个问题，回退时
输出功率。其原因在于增益在所有阶段变化，并根据噪声式（式2） ，
F2
– 1
F3
– 1
-
F
合计
=
F1
+ --------------- + -------------------
G1
G1
G2
（当量2）
噪声系数取决于各个阶段的噪声系数和增益。因为产RF3166的偏置点保持恒定
在第一级中的增益总是高，降低输出功率时的总噪声功率不增加。
功率控制环路的稳定性往往存在许多挑战发射器设计。设计一个合适的功率控制环路
涉及影响稳定性，瞬态光谱和突发时间的权衡。
在传统架构中的PA增益（dB / V）在不同的功率电平而变化，并且作为结果的环路带宽
也各不相同。与某些功率放大器有可能在PA增益（控制斜率）从百分贝/ V改变为高
作为千分贝/ V 。在这种情况下所面临的挑战是保持环路带宽足够宽，以满足在低爆面膜
坡地区，往往会导致不稳定，在高坡地区。
该产RF3166环路带宽由内部带宽和RF输出负载确定，并且不与改变
对于功率电平。这使得更容易保持环路的稳定性，因为偏置电压高带宽循环
和集电极电压不发生变化。
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转A3 061031
