SC251
电源管理
典型特征（续）
振荡器频率与温度的关系
1150
R
DSON
与V
IN
0.35
1100
0.3
开关频率（kHz ）
1050
PMOS
0.25
R
DSON
(Ω)
1000
NMOS
0.2
950
旁路FET
900
0.15
25
°
C
850
-40
-20
0
20
60
40
温度（
°
C)
80
100
120
140
0.1
2.5
3
3.5
V
IN
(V)
4
4.5
5
R
DSON
与温度的关系
0.40
2
PMOS FET泄漏与彩画
TURE
0.35
PMOS
0.30
旁路FET
1.5
V
IN
=5V
漏电（ μA ）
1
V
IN
=4V
V
IN
=3.5V
0.5
V
IN
=2.7V
R
DSON
(Ω)
0.25
NMOS
0.20
0
0.15
V
IN
=4V
-25
-10
5
20
35
50
T
J
(° C)
65
80
95
110
125
0.10
-40
-0.5
-40
-15
10
T
J
(°C)
35
60
85
PASS场效应管漏 - 输入电压
2
6
5
动态电源电流与V
IN
1.5
V
IN
=5V
4
I
Q_SW
（MA ）
漏电（ μA ）
1
V
IN
=4V
V
IN
=3.5V
3
0.5
V
IN
=2.7V
2
0
1
-0.5
-40
-15
10
T
J
(°C)
35
60
85
0
2.5
3
3.5
4
V
IN
(V)
4.5
5
5.5
2006年升特公司
15
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