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电源管理
描述
该SC251是一款同步降压转换器设计
用作自适应电压源,用于WCDMA射频
电源放大器器( PAS) 。模拟控制输入,用于
动态地调整输出电压0.5V之间
3.4V用非线性传递函数。该非线性
关系,通过提供最大化系统总EF网络效率
功率放大器与它需要保持最小电压
线性度。对于输出电压大于3.4V的输入
直接经由内部PMOS被连接到输出
开关。一个可选的栅极驱动器(GD)的输出来控制
导通电阻PMOS开关,还提供外部低
对于需要最小电压系统中的应用
下降。该SC251还提供了2.85V的参考LDO
输出可以被用来提供一个PA偏置输入。
提供低功率和高功率模式匹配
性能与双模式功率放大器。在低功耗模式下,
输出电压跟随具有指数关系
在VDAC输入,直到达到3.4V 。当VMODE
脚状态改变,V
OUT
如下替代指数
关系。
该SC251能够提供输出电流可达
800mA的。待机电流<1μA当设备
禁用。内部时钟运行频率为1MHz ,使小
表面贴装电感器和电容器都可以使用。
降压型DC -DC转换器
偏置LDO用于WCDMA放大器器
特点
V
OUT
指数正比于V
DAC
为了获得最大的
英法fi效率(专利申请中)
输出范围和直通模式 - 0.5V至3.4V
输出电流 - 800毫安
关断电流 - < 1μA
LDO PA偏置电源 - 2.85V , 10毫安
内部时钟 - 1MHz的
在VOUT持续的短路保护
占空比模式 - 100 %
内部PMOS旁路晶体管
栅极驱动可用于外部旁路晶体管
超过90%的外汇基金fi效率
低和高功率模式,以获得最佳的双模
PA EF网络效率
切换时间(最低到最高输出) <为40μs
微型引线框架封装MLPD - 10 ,采用3mm x 3mm
SC251
应用
3G手机 - 射频功放电源
WCDMA功率放大器器模块
无线调制解调器
典型应用电路
专利申请
可选
外部直通
MOSFET
V
IN
2.7至5V
1
C
IN
10μF
GD
VIN
LX
VOUT
EN
3
10
8
L1
4.7μH
V
OUT
0.5V至V
IN
C
OUT
4.7μF
RF输入
BIAS
C
REF
1μF
VCC
SC251
4
5
VMODE
6
VDAC
9
保护地
启用
VMODE
VDAC
PA
GND
RF输出
VREF
GND
2
7
2006年5月8日
1
www.semtech.com
SC251
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的特定网络连接的阳离子可能导致对设备或设备故障造成永久性损坏。 specifed在参数的操作之外
电气特性部分,不推荐。
参数
输入电源电压
逻辑输入/输出
( EN , VMODE , VDAC , GD )
输出电压
LX电压
热阻抗结到环境
(1)
VOUT短路到GND
工作环境温度范围
储存温度
最高结温
峰值IR再溢流温度
ESD保护等级
(2)
符号
V
IN
V
N
V
OUT
V
LX
θ
JA
t
SC
T
A
T
S
T
J
T
领导
V
ESD
最大
-0.3 7
-0.3到V
IN
+0.3 , 7V最大
-0.3到V
IN
+0.3 , 7V最大
-1到V
IN
1 , 7V最大
49
连续
-40至+85
-60到+160
-40到+150
260
2
单位
V
V
V
V
° C / W
s
°C
°C
°C
°C
kV
注意事项:
1.包在静止空气中计算,安装3“× 4.5” , 4层FR4 PCB下裸露焊盘的预JESD51标准散热孔。
2.根据JEDEC标准JESD22 - A114 -B测试
电气特性
除非另有说明: V
IN
= 4V , EN = V
IN
, V
模式
= GND (高功率) ,V
DAC
= 1.1V ,T
A
= -40到85°C 。典型值是在T
A
= +25°C.
参数
输入电压范围
符号
V
IN
条件
2.7
典型值
最大
5
单位
V
V
DAC
= 0.3V, V
模式
= V
IN
, I
OUT
= 20mA下
V
OUT
准确性
V
OUT
V
模式
= V
IN
, I
OUT
= 60毫安
I
OUT
= 200毫安
线路调整
负载调节( PWM )
峰值电感电流
旁路FET电流限制
V
出格
V
OUT LOAD
I
LX PK
I
I
Q NORM
I
Q PASS
2006年升特公司
V
DAC
= 1.3V
2
V
IN
= 2.7V至5V ,
I
OUT
≤ 200毫安,T
A
= -40 85 ℃下
I
OUT
= 0A 800mA的,T
A
= -40 85 ℃下
0.44
3.16
1.38
0.48
3.40
1.62
±1.2
±0.5
0.52
3.64
1.86
%
%
1.7
2.5
A
A
V
1
1
2.5
静态电流
mA
1.5
www.semtech.com
SC251
电源管理
电气特性(续)
参数
关断电流
P沟道限流
V
DAC
直通
模式阈值
V
DAC
直通
模式滞后
V
REF
产量
V
REF
LDO低压差型
V
REF
负载电流
V
REF
负载调整率
V
REF
线路调整
GD负载电容
符号
I
SD
I
LIM ( P)
V
DAC
升起
V
DAC
落下
V
DAC HYST
V
REF
V
REF DO
I
REF
V
REF LDREG
V
REF LNREG
C
GD
I
REF
= 0.1毫安至10mA
I
REF
= 1毫安
10
T
A
= 25°C
V
DAC
= 1.4V ,T
A
= 25°C
V
IN
= 3V ,我
OUT
= 100毫安
V
IN
= 3V ,我
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 600毫安,V
IN
= 3V, V
DAC
= 1.4V
EN = GND ,V
IN
= 3.6V , LX = GND
EN = GND ,V
IN
= 3.6V, V
OUT
= GND
V
DAC
> 0.95V
V
DAC
< 0.95V
EN / VMODE增加
EN / VMODE下降
EN / VMODE = 5.0V
EN / VMODE = 0V
0.85
0.65
1.6
0.6
±2
±2
20
I
REF
= 10毫安
I
REF
= 10毫安
2.75
条件
EN = GND
0.9
1.24
1.2
典型值
0.1
1.3
1.28
1.245
40
2.85
2.95
100
10
0.05
0.3
mV
V
mV
mA
% / mA的
%/V
nF
2
150
mA
mA
Ω
Ω
Ω
μA
3
1.15
兆赫
1.15
V
V
μA
μA
%
μA
最大
3
1.7
1.32
V
单位
μA
A
V
DAC PASS
GD源电流
GD灌电流
R
DSON
P沟道FET
R
DSON
n沟道FET
R
DSON
绕道
P沟道FET
LX引脚PMOS泄漏
VOUT引脚旁路
场效应管泄漏
振荡器频率
I
GDH
I
GDL
R
PFET
R
NFET
R
I
LLXP
I
LVOUT
0.5
75
0.4
0.25
0.2
0.1
0.1
1
f
OSC
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
OS
EN
逻辑输入高
逻辑输入低
逻辑输入电流高
逻辑输入电流低
启用暂态过/
(1)
2006年升特公司
3
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SC251
电源管理
电气特性(续)
参数
使瞬态建立时间
(1)
VDAC瞬态
过冲/下冲
(1)
VDAC瞬态建立时间
(1)
直通过渡
过冲/下冲
(1)
直通过渡
建立时间
(1)
热关断
热关断迟滞
注意事项:
1 )未测试 - 保证设计。
符号
t
EN -ST
OS
VDAC
t
VDAC -ST
OS
t
PASS -ST
T
SD
T
SDH
条件
典型值
最大
40
20
40
20
40
单位
μs
%
μs
%
μs
°C
°C
160
15
2006年升特公司
4
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SC251
电源管理
引脚CON组fi guration
引脚CON组fi guration
订购信息
设备
SC251MLTRT
(1) (2)
VIN
VREF
GD
EN
VMODE
1
2
3
4
5
T
10
MLP 3X3-10
评估板
LX
保护地
VOUT
GND
VDAC
顶视图
SC251EVB
9
8
7
6
注意事项:
1 )只有无铅封装。该产品是完全WEEE和RoHS标准。
2 )在仅磁带和卷轴。一卷包括3000设备。
MLPD10 : 3X3 10 LEAD
标识信息
2006年升特公司
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SC251EVB
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