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产品数据表
AAT2688
的SystemPower
TM
对于12V适配器系统4.5A PMIC解决方案有2个输出高性能降压型转换器
布局的注意事项
为AAT2688建议的PCB布局显示在
图5至8下列准则应
用于帮助确保一个适当的布局。
1.
电源输入电容（ C1和C15 ）应
连接尽可能接近高电压输入
引脚（ IN1 ）和电源地。
C 1 ，L 1 ，Q 1 ，C7，C8和C9 ，需要将尽可能接近
以尽量减少在任何寄生电感
其产生大的开关电流路径
切换间隔期间的电压尖峰。 CON组
电感器的nection到交换节点应尽可能
短越好。
反馈跟踪或FB1引脚应分开
从任何电源走线和连接尽可能接近
可能的负载点。沿着高感应
电流负载跟踪将降低直流负载调节。
迹线从所述负载电阻返回到
保护地应保持在最低限度。这将有助于
尽量减少DC调节因differ-任何错误
分配办法中的内部信号地线的电位
和电源接地。
未使用的连接信号引脚接地或输入
避免不必要的噪声耦合。
6.关键的小信号组件包括馈
回组件和补偿元件
应放置在靠近FB1和COMP1引脚。
反馈电阻应该尽可能靠近的
可以将FB1引脚，其接地绑直
于从分离出的信号接地平面
电源地平面。
7. C4应连接紧密的RS1和OS1
销，而R 2应连接靠近
电感器。
8. R7应直接连接到输出引脚
电感L1感知精确的DCR 。
9.良好的热耦合，一个4层PCB布局
推荐和PCB过孔都需要从
裸露焊盘（ EP）的TQFN45-24划行归
中层计划和底平面。该EP在内部
连接至IN 。
5.
2.
3.
4.
C3
0.1μF
D1
BAS16
2
1
U1
LX1
LX1
BST1
VL1
VL1
IN
N / C
EP
COMP1
OUT2
N / C
GND
GND2
N / C
LX1
LX1
DL
FB1
RS1
OS1
24
L1
4.7μH
C10
2.2nF
R5
150
V
OUT1
3.3V/4.5A
2
23
5
20
R2
2k
Q1
C4
220nF
R6
开放
R3
9.09k
J1
1
D1
18
16
V
IN1
6.0V - 24.0V
19
13
AAT2688
22
3
14
15
R7
0
C7
22μF
C6
R1
150pF的3.92K R4
1.96k
C5
2.2nF
C8
C9
22μF 22μF
C14
2.2μF
3
2
1
4
N / C
EN1
IN2
N / C
EN2
11
6
12
V
OUT2
1.8V/0.6A
R8
开放
C12
2.2μF
C11
开放
EN1
C1
220μF
25V
+
C15
开放
C13
1μF
25V
V
IN2
10
17
9
7
C2
2.2μF
EN2
3
2
1
8
21
TQFN 45-24
U1
C1
C2, C12, C14
C3
C4
C5, C6, C10, C11
C7, C8, C9
C13
D1
Q1
L1
R1-R5
AAT2688诺逻辑科技，高电压降压/ LDO ， TQFN45-24
帽， MLC ， 220μF / 25V电解帽
帽， MLC ， 2.2μF ， 6.3V ， 0805
帽， MLC ， 0.1μF / 6.3V ， 0603
帽， MLC ， 220nF的/ 6.3V ， 0402
帽， MLC ，杂项， 0603
帽， MLC ， 22μF / 10V ， 1206
帽， MLC ， 1μF ， 25V ， 0805
BAS16 ，通用，整流器， 0.2A / 85V ，超快， SOT23
SOP8 MOSFET ， Si4686DY ，威世或FDS8884 ，仙童
RCH108NP - 4R7M ，墨田区， 4.7μH ，我
SAT
= 5.7A ， DCR = 11.7mΩ ;非屏蔽
或伍尔特744 771 004 ， 4.7μH ，我
SAT
= 6.8A ， DCR = 11MΩ ，屏蔽
碳膜电阻器， 0402
图4 ： AAT2688评估板电路图为V
IN
= 6V - 24V和V
OUT
= 3.3V.
2688.2008.06.1.0
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