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产品数据表
AAT2688
的SystemPower
TM
对于12V适配器系统4.5A PMIC解决方案有2个输出高性能降压型转换器
应用信息
输出1为高电压的DC / DC降压转换器
提供输出电压为0.8V至5.5V 。在英特
磨碎的高侧的N沟道MOSFET器件提供高达
以4.5A的输出电流。输入电压范围是6.0V到
24.0V 。降压转换器利用恒定频
昆西（ PWM模式）电压模式控制实现
同时保持极高的工作效率
在整个工作范围内的低输出噪声。高
490kHz （标称值）开关频率允许小
外部滤波元件，实现最小成本
与解决方案尺寸。外部补偿和选项 -
人前馈电容器使设计师能够优化
而跨越实现稳定的瞬态响应
工作范围。
输出2是一款低电压低压差（ LDO）线性稳压
荡器提供1.8V高达600mA的输出电流。
输入电压范围为2.7V至5.5V 。该LDO亲
志愿组织可来自指示按非常低的噪声输出
LY从输出1 。
通道1稳压器
输出电容的选择
三22μF的陶瓷输出电容要求
滤波器电感器电流纹波和负载供电
瞬态电流我
OUT
= 4.5A 。 1206包
10V最小电压等级推荐的
输出电容器保持一个最小电容
放弃与直流偏置。
通道1输出电感的选择
降压转换器利用恒定频率
（PWM模式）电压模式控制。一个4.7μH电感器
值被选择，以维持期望的输出电流
纹波和最小化转换器的响应时间来
负载瞬变。峰值开关电流应不
超过电感饱和电流或MOSFET的。
通道1 MOSFET选择
步降（降压）转换器采用同步
精馏（Q1）为恒定频率（ PWM模式）
电压模式控制。同步整流器的选择 -
编基于所述所需的R
DS （ ON）
值和Q
G
（总闸门
充电） ，这两个关键参数称重
针对对方。为了得到一个低R
DS （ ON）
值时，MOSFET
必须是一个非常大的尺寸和较大的MOSFET的意志
有一个大的Q
G
。相反，以获得低Q
G
时，MOSFET
必须小，并因此具有很大的R
DS （ ON）
值。在
除了权衡R的
DS （ ON）
和Q
G
中，
最大电压额定值为外部同步
MOSFET必须超过最大输入应用程序
电压值（V
DS [ MAX]
＆ GT ; V
在[ MAX]
).
在Q
G
影响同步的的导通/关断时间
理性的MOSFET ，较长的导通/关断时间的
更有可能的降压转换器将具有“拍
通过“当前的问题。 “通过拍摄”电流发生
当AAT2688内顶边MOSFET和
外部同步MOSFET是传导电流
在同一时间。这将导致一个低阻抗路径
从输入电压通过两个接地
MOSFET和电流可能会超过最大
在AAT2688和外部同步的额定电流
MOSFET。超过最大额定电流会
导致AAT2688的破坏性和降额
外部同步MOSFET。
输出电压通道1
1
输出电压通过外部电阻器来设定
分频器如表1所示的最小的输出电压是
0.8V和最大输出电压为5.5V 。典型MAX-
imum占空比为85％。例： R4 = 1.96KΩ ，
R3
=
(V
OUT
- 0.585) · R4
0.585
V
OUT1
(V)
0.8
1.0
1.2
1.5
1.8
2.0
2.5
3.0
3.3
5.0
R3 （千欧）
0.715
1.37
2.05
3.09
4.02
4.75
6.49
8.06
9.09
14.7
表1 ：外部电阻值（标准1 ％
电阻器是替补计算值） 。
1. R3和R4的反馈电阻是分开的补偿网络。在改变R 3和/或R 4 ，该补偿网络将必须被改变。联系
该应用工程部门为特定的输出电压补偿网络的建议。
2688.2008.06.1.0
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