SSM5N05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM5N05FU
高速开关应用
·
·
·
小型封装
低导通电阻，R
on
= 0.8
（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
: R
on
=
1.2
（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
低栅极阈值电压
单位：mm
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
20
±12
400
800
300
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2L1B
注1 ：总的评价，装上FR4板
2
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨，铜垫： 0.32毫米
5)
重量： 6.2毫克（典型值）。
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-24
