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SSM5N05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM5N05FU
高速开关应用
最适用于小型封装的高密度安装
低导通电阻,R
on
= 0.8
(最大值) ( @V
GS
= 4 V)
: R
on
= 1.2
(最大值) ( @V
GS
= 2.5 V)
低栅极阈值电压
单位:mm
( Q1 , Q2常见)
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(注1 )
T
ch
T
英镑
等级
20
±12
400
800
300
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗(大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
注意:
重负载下连续使用(例如应用
东芝
2-2L1B
高温/电流/电压和在显著变化
重量: 6毫克(典型值)。
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :总的评价,装上FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨,铜垫: 0.32毫米
×
5)
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),可确保环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2007-11-01
SSM5N05FU
记号
5
4
等效电路
( TOP VIEW )
5
4
DF
1
2
3
Q1
Q2
1
2
3
电气特性
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
=
3 V,I
D
=
百毫安,
V
GS
=
0~2.5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
I
D
=
1毫安,V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V,I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V,I
D
=
200毫安
I
D
=
200毫安,V
GS
=
4 V
I
D
=
200毫安,V
GS
=
2.5 V
(Note2)
(Note2)
(Note2)
20
0.6
350
典型值。
0.6
0.85
22
9
21
60
70
最大
±1
1
1.1
0.8
1.2
单位
μA
V
μA
V
mS
Ω
pF
pF
pF
ns
注2 :脉冲测试
开关时间测试电路
( a)测试电路
2.5 V
0
10
μs
V
DD
=
3 V
& LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
& LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
Ω
R
L
V
DD
0V
10%
(二)V
IN
2.5 V
90%
(三)V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS ( ON)
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时,低工作电流值是我
D
=
100
μA
此产品。对于正常的开关操作,V
GS (上)
需要较高的电压比V
th
和V
GS (关闭)
需要
较低的电压比V
th
。 (该关系,可以建立如下:V
GS (关闭)
& LT ;
V
th
& LT ;
V
GS (上)
)
使用该设备时,请考虑到这一点。
2
2007-11-01
SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
D
– V
DS
1000
常见的来源
800
10 4
3
2.5
2.3
Ta
=
25°C
100
1000
常见的来源
VDS
=
3 V
I
D
– V
GS
(MA )
(MA )
漏极电流ID
2.1
10
漏极电流ID
600
Ta
=
100°C
400
1.9
1
25°C
25°C
0.1
1.7
200
VGS
=
1.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏源电压
VDS
(V)
栅源电压
VGS ( V)
R
DS ( ON)
– I
D
2.0
常见的来源
Ta
=
25°C
1.6
1.6
2.0
R
DS ( ON)
– V
GS
常见的来源
ID
=
200毫安
漏源导通电阻
的RDS(ON )( Ω )
1.2
2.5 V
0.8
VGS
=
4 V
漏源导通电阻
的RDS(ON )( Ω )
1.2
0.8
Ta
=
100°C
25°C
0.4
25°C
0.4
0
0
200
400
600
800
1000
0
0
2
4
6
8
10
漏极电流ID (MA )
栅源电压
VGS ( V)
R
DS ( ON)
- TA
2.0
Y
fs
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(女士)
5000
常见的来源
3000 VDS
=
3 V
Ta
=
25°C
常见的来源
ID
=
200毫安
1.6
漏源导通电阻
的RDS(ON )( Ω )
1.2
2.5 V
1000
0.8
VGS
=
4 V
0.4
500
300
0
25
0
25
50
75
100
125
150
100
10
30
50
100
300
500
1000
环境温度Ta (C )
漏极电流ID (MA )
3
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SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
DR
– V
DS
1000
常见的来源
VGS
=
0
800
Ta
=
25°C
D
600
G
IDR
S
100
50
30
- V
DS
反向漏电流IDR (毫安)
(PF )
西塞
10
5
3
常见的来源
VGS
=
0
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
1
0.1
0.3
1
3
10
30
CRSS
电容C
科斯
400
200
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
吨 - 我
D
1000
常见的来源
500
花花公子
VGS
=
0~2.5 V
Ta
=
25°C
tf
400
P
D
*
- TA
安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t
2
Cu焊盘: 0.32毫米
×
5)
300
开关时间t( NS )
300
100
50
30
漏极功耗P
D
*
300
( mW)的
200
100
VDD
=
3 V
tr
10
1
3
10
30
100
漏极电流ID (MA )
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta (C )
*:
总评分
4
2007-11-01
SSM5N05FU
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
SSM5N05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM5N05FU
高速开关应用
·
·
·
小型封装
低导通电阻,R
on
= 0.8
(最大值) ( @V
GS
= 4 V)
: R
on
=
1.2
(最大值) ( @V
GS
= 2.5 V)
低栅极阈值电压
单位:mm
最大额定值
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
20
±12
400
800
300
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗(大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
2-2L1B
注1 :总的评价,装上FR4板
2
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨,铜垫: 0.32毫米
5)
重量: 6.2毫克(典型值)。
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-24
SSM5N05FU
记号
5
4
等效电路
( TOP VIEW )
5
4
DF
1
2
3
Q1
Q2
1
2
3
电气特性
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
=
3 V,I
D
=
百毫安,
V
GS
=
0~2.5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
I
D
=
1毫安,V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V,I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V,I
D
=
200毫安
I
D
=
200毫安,V
GS
=
4 V
I
D
=
200毫安,V
GS
=
2.5 V
(Note2)
(Note2)
(Note2)
20
0.6
350
典型值。
0.6
0.85
22
9
21
60
70
最大
±1
1
1.1
0.8
1.2
单位
mA
V
mA
V
mS
W
pF
pF
pF
ns
注2 :脉冲测试
开关时间测试电路
( a)测试电路
2.5 V
0
10
ms
V
DD
=
3 V
& LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
& LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
9
R
L
V
DD
0V
10%
(二)V
IN
2.5 V
90%
(三)V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS ( ON)
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时,低工作电流值是我
D
=
100
mA
为了这
产品。对于正常的开关操作,V
GS (上)
需要更高的电压比V
th
和V
GS (关闭)
要求较低
电压比V
th
。 (关系,可以建立如下:V
GS (关闭)
& LT ;
V
th
& LT ;
V
GS (上)
)
请考虑到这一点,使用该设备。 V
GS
2.5伏或更高的推荐电压来导通
此产品。
2
2002-01-24
SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
D
– V
DS
1000
常见的来源
800
10 4
3
2.5
2.3
Ta
=
25°C
100
1000
常见的来源
VDS
=
3 V
I
D
– V
GS
(MA )
(MA )
ID
2.1
10
ID
600
Ta
=
100°C
漏电流
400
1.9
漏电流
1
25°C
-25°C
0.1
1.7
200
VGS
=
1.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏源电压VDS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
R
DS ( ON)
– I
D
2.0
常见的来源
Ta
=
25°C
1.6
1.6
2.0
R
DS ( ON)
– V
GS
常见的来源
ID
=
200毫安
漏源导通电阻
RDS(ON) (W)的
1.2
2.5 V
0.8
VGS
=
4 V
漏源导通电阻
RDS(ON) (W)的
1.2
0.8
Ta
=
100°C
25°C
0.4
0.4
-25°C
0
0
200
400
600
800
1000
0
0
2
4
6
8
10
漏电流
ID
(MA )
栅源电压
VGS
(V)
R
DS ( ON)
- TA
2.0
Y
fs
– I
D
(女士)
5000
常见的来源
3000 VDS
=
3 V
Ta
=
25°C
常见的来源
ID
=
200毫安
1.6
漏源导通电阻
RDS(ON) (W)的
正向转移导纳
125
150
1.2
2.5 V
Y
fs
VGS
=
4 V
0
25
50
75
100
1000
0.8
500
300
0.4
0
-25
100
10
30
50
100
300
500
1000
环境温度Ta (C )
漏电流
ID
(MA )
3
2002-01-24
SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
DR
– V
DS
1000
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
D
600
G
IDR
S
100
50
30
- V
DS
(MA )
800
(PF )
反向漏电流IDR
西塞
10
5
3
常见的来源
VGS
=
0
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
1
0.1
0.3
1
3
10
30
CRSS
电容C
科斯
400
200
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
漏源电压VDS
(V)
漏源电压VDS
(V)
吨 - 我
D
1000
常见的来源
500
花花公子
VDD
=
3 V
VGS
=
0~2.5 V
Ta
=
25°C
tf
400
P
D
*
- TA
安装在FR4板。
( mW)的
(纳秒)
300
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t
2
Cu焊盘: 0.32毫米
5)
300
开关时间
100
50
30
漏极功耗
3
10
30
100
300
P
D
*
t
200
tr
100
10
1
漏电流
ID
(MA )
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta (C )
*:
总评分
4
2002-01-24
SSM5N05FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-01-24
SSM5N05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM5N05FU
高速开关应用
·
·
·
小型封装
低导通电阻,R
on
= 0.8
(最大值) ( @V
GS
= 4 V)
: R
on
=
1.2
(最大值) ( @V
GS
= 2.5 V)
低栅极阈值电压
单位:mm
最大额定值
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
20
±12
400
800
300
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗(大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
2-2L1B
注1 :总的评价,装上FR4板
2
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨,铜垫: 0.32毫米
5)
重量: 6.2毫克(典型值)。
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-24
SSM5N05FU
记号
5
4
等效电路
( TOP VIEW )
5
4
DF
1
2
3
Q1
Q2
1
2
3
电气特性
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
=
3 V,I
D
=
百毫安,
V
GS
=
0~2.5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
I
D
=
1毫安,V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V,I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V,I
D
=
200毫安
I
D
=
200毫安,V
GS
=
4 V
I
D
=
200毫安,V
GS
=
2.5 V
(Note2)
(Note2)
(Note2)
20
0.6
350
典型值。
0.6
0.85
22
9
21
60
70
最大
±1
1
1.1
0.8
1.2
单位
mA
V
mA
V
mS
W
pF
pF
pF
ns
注2 :脉冲测试
开关时间测试电路
( a)测试电路
2.5 V
0
10
ms
V
DD
=
3 V
& LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
& LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
9
R
L
V
DD
0V
10%
(二)V
IN
2.5 V
90%
(三)V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS ( ON)
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时,低工作电流值是我
D
=
100
mA
为了这
产品。对于正常的开关操作,V
GS (上)
需要更高的电压比V
th
和V
GS (关闭)
要求较低
电压比V
th
。 (关系,可以建立如下:V
GS (关闭)
& LT ;
V
th
& LT ;
V
GS (上)
)
请考虑到这一点,使用该设备。 V
GS
2.5伏或更高的推荐电压来导通
此产品。
2
2002-01-24
SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
D
– V
DS
1000
常见的来源
800
10 4
3
2.5
2.3
Ta
=
25°C
100
1000
常见的来源
VDS
=
3 V
I
D
– V
GS
(MA )
(MA )
ID
2.1
10
ID
600
Ta
=
100°C
漏电流
400
1.9
漏电流
1
25°C
-25°C
0.1
1.7
200
VGS
=
1.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏源电压VDS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
R
DS ( ON)
– I
D
2.0
常见的来源
Ta
=
25°C
1.6
1.6
2.0
R
DS ( ON)
– V
GS
常见的来源
ID
=
200毫安
漏源导通电阻
RDS(ON) (W)的
1.2
2.5 V
0.8
VGS
=
4 V
漏源导通电阻
RDS(ON) (W)的
1.2
0.8
Ta
=
100°C
25°C
0.4
0.4
-25°C
0
0
200
400
600
800
1000
0
0
2
4
6
8
10
漏电流
ID
(MA )
栅源电压
VGS
(V)
R
DS ( ON)
- TA
2.0
Y
fs
– I
D
(女士)
5000
常见的来源
3000 VDS
=
3 V
Ta
=
25°C
常见的来源
ID
=
200毫安
1.6
漏源导通电阻
RDS(ON) (W)的
正向转移导纳
125
150
1.2
2.5 V
Y
fs
VGS
=
4 V
0
25
50
75
100
1000
0.8
500
300
0.4
0
-25
100
10
30
50
100
300
500
1000
环境温度Ta (C )
漏电流
ID
(MA )
3
2002-01-24
SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
DR
– V
DS
1000
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
D
600
G
IDR
S
100
50
30
- V
DS
(MA )
800
(PF )
反向漏电流IDR
西塞
10
5
3
常见的来源
VGS
=
0
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
1
0.1
0.3
1
3
10
30
CRSS
电容C
科斯
400
200
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
漏源电压VDS
(V)
漏源电压VDS
(V)
吨 - 我
D
1000
常见的来源
500
花花公子
VDD
=
3 V
VGS
=
0~2.5 V
Ta
=
25°C
tf
400
P
D
*
- TA
安装在FR4板。
( mW)的
(纳秒)
300
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t
2
Cu焊盘: 0.32毫米
5)
300
开关时间
100
50
30
漏极功耗
3
10
30
100
300
P
D
*
t
200
tr
100
10
1
漏电流
ID
(MA )
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta (C )
*:
总评分
4
2002-01-24
SSM5N05FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-01-24
SSM5N05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM5N05FU
高速开关应用
小型封装
低导通电阻,R
on
=
0.8
(最大值) ( @V
GS
=
4 V)
: R
on
=
1.2
(最大值) ( @V
GS
=
2.5 V)
低栅极阈值电压
最大额定值
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
漏极功耗(大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
20
±12
400
800
300
150
55~150
mW
°C
°C
单位
V
V
mA
注1 :总的评价,装上FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨,铜垫: 0.32毫米
×
5)
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
000707EAA1
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,在半导体器件一般
可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方,利用东芝产品时,要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准,并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命,人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外,请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用(计算机,个人打算使用
设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器等) 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障,或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害( “意外用法” )的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表,飞机或太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制
仪器,医疗仪器,各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利,可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
2000-07-19
1/4
SSM5N05FU
记号
5
4
等效电路
( TOP VIEW )
5
4
DF
1
2
3
Q1
Q2
1
2
3
电气特性
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
=
3 V,I
D
=
百毫安,
V
GS
=
0~2.5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
I
D
=
1毫安,V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V,I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V,I
D
=
200毫安
I
D
=
200毫安,V
GS
=
4 V
I
D
=
200毫安,V
GS
=
2.5 V
(Note2)
(Note2)
(Note2)
20
0.6
350
典型值。
0.6
0.85
22
9
21
60
70
最大
±1
1
1.1
0.8
1.2
单位
A
V
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
注2 :脉冲测试
开关时间测试电路
( a)测试电路
2.5 V
OUT
IN
50
10%
R
L
V
DD
0V
(二)V
IN
2.5 V
90%
0
10
s
(三)V
OUT
V
DD
10%
V
DD
=
3 V
& LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
& LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
)
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DS ( ON)
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时,低工作电流值是我
D
=
100
A
为了这
产品。对于正常的开关操作,V
GS (上)
需要更高的电压比V
th
和V
GS (关闭)
要求较低
电压比V
th
。 (关系,可以建立如下:V
GS (关闭)
& LT ;
V
th
& LT ;
V
GS (上)
)
请考虑到这一点,使用该设备。 V
GS
2.5伏或更高的推荐电压来导通
此产品。
2000-07-19
2/4
SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
D
– V
DS
1000
常见的来源
800
10 4
3
2.5
2.3
Ta
=
25°C
100
1000
常见的来源
VDS
=
3 V
I
D
– V
GS
(MA )
(MA )
漏极电流ID
2.1
10
漏极电流ID
600
Ta
=
100°C
400
1.9
1
25°C
25°C
0.1
1.7
200
VGS
=
1.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏源电压VDS
(V)
栅极 - 源极电压VGS
(V)
R
DS ( ON)
– I
D
2.0
常见的来源
Ta
=
25°C
1.6
1.6
2.0
R
DS ( ON)
– V
GS
常见的来源
ID
=
200毫安
漏源导通电阻
的RDS(ON )( Ω )
1.2
2.5 V
0.8
VGS
=
4 V
0.4
漏源导通电阻
的RDS(ON )( Ω )
1.2
0.8
Ta
=
100°C
25°C
0.4
25°C
0
0
200
400
600
800
1000
0
0
2
4
6
8
10
漏极电流ID
(MA )
栅极 - 源极电压VGS
(V)
R
DS ( ON)
- TA
2.0
Y
fs
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(女士)
5000
常见的来源
3000 VDS
=
3 V
Ta
=
25°C
常见的来源
ID
=
200毫安
1.6
漏源导通电阻
的RDS(ON )( Ω )
1.2
2.5 V
1000
0.8
VGS
=
4 V
0.4
500
300
0
25
0
25
50
75
100
125
150
100
10
30
50
100
300
500
1000
环境温度Ta (C )
漏极电流ID
(MA )
2000-07-19
3/4
SSM5N05FU
( Q1 , Q2常见)
I
DR
– V
DS
1000
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
D
600
G
IDR
S
400
100
50
30
- V
DS
(MA )
800
(PF )
反向漏电流IDR
西塞
电容C
10
5
常见的来源
3
VGS
=
0
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
1
0.1
0.3
1
3
10
科斯
CRSS
200
30
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
漏源电压VDS
(V)
漏源电压VDS
(V)
吨 - 我
D
1000
常见的来源
500
花花公子
300
400
P
D
*
- TA
安装在FR4板。
Ta
=
25°C
tf
漏极功耗P
D
*
( mW)的
开关时间t( NS )
VDD
=
3 V
VGS
=
0~2.5 V
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t
2
Cu焊盘: 0.32毫米
×
5)
300
100
50
30
200
tr
10
1
100
3
10
30
100
300
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极电流ID
(MA )
环境温度Ta (C )
*:
总评分
2000-07-19
4/4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SSM5N05FU
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
SSM5N05FU
TOSHIBA
14+PB
6000
SOT353
只做原装
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
SSM5N05FU
TOSHIBA/东芝
2409+
6279
SMD
只有全新原装!假一赔十!可以开增票!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SSM5N05FU
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
SOT353
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
SSM5N05FU
TOSHIBA/东芝
24+
21000
SOT353
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:474618840 复制 点击这里给我发消息 QQ:1091508947 复制
电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
SSM5N05FU
TOSHIBA
21+
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