SSM5N03FE
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
t
关闭
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
测试条件
V
GS
=
10 V, V
DS
=
0 V
I
D
=
100
μA,
V
GS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DD
=
3 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0至2.5 V
V
DD
=
3 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0至2.5 V
民
20
0.7
25
典型值。
60
4
11.0
3.3
9.3
0.16
0.19
最大
1
1
1.3
12
μs
单位
μA
V
μA
V
mS
Ω
pF
pF
pF
开关时间测试电路
（ a）测试电路
2.5 V
输入
50
Ω
0
10
μs
V
IN
V
DD
=
3 V
I
D
输出D.U.
＆ LT ;
1%
=
输入：吨
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
R
L
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DD
2.5 V
（二）V
IN
V
GS
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DS
V
DS （ ON）
t
on
90%
t
r
t
关闭
t
f
90%
10%
10%
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
μA
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
TH ，
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
th
。 （该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
2
2007-11-01
