SSM5N03FE
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM5N03FE
高速开关应用
模拟开关应用
输入阻抗高;驱动电流是极其低的。
可以直接连在低电压，由于低驱动CMOS器件
栅极阈值电压。
高速开关
坐落在一个超小型封装，适合高密度安装
单位：mm
（ Q1 ， Q2常见）
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
20
10
100
150
150
55
150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注意：
JEDEC
―
重负载下连续使用（例如应用
JEITA
―
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
东芝
2-2P1B
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
重量：0.003克（典型值）。
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并
个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
注1 ：总的评价，安装在FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨，铜垫： 0.135毫米
×
5)
0.3 mm
记号
5
4
0.45 mm
等效电路
（ TOP VIEW ）
5
4
DA
1
2
3
Q1
Q2
1
2
3
1
2007-11-01
