SSM5H08TU
| YFS | - 我
D
（ MO S FET ）
100
1000
- V
S
（ MO S FET ）
常见的来源
V
DS
=3V
Ta=25℃
正向转移导纳| YFS | （MS ）
10
电容C （PF ）
100
C
国际空间站
1
C
OSS
C
RSS
10
0.1
常见的来源
V
GS
=0V
f=1MHz
Ta=25℃
1
0.01
0.1
漏电流I
D
(A)
1
10
0.1
1
10
100
漏源电压V
DS
(V)
0.01
0.001
I
，D R
- V
S
（ MO S FET ）
4
3.5
反向漏电流I
DR
（MA ）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
漏源电压V
DS
(V)
吨 - 我
D
（ MO S FET ）
1000
常见的来源
V
GS
=0
Ta=25℃
开关时间t（ NS ）
花花公子
100
常见的来源
V
DD
=10V
V
GS
=0½2.5V
Ta=25℃
tf
吨
10
tr
1
0.1
0.01
0.1
漏电流I
D
(A)
1
10
达因MIC IN P ü吨通道ARA cteristic （MO S FET ）
10
P
D
- 钽（MOSFET）
1.2
8
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
I
D
=1.5A
Ta=25℃
漏极功耗P
D
(W)
常见的来源
V
DD
=10V
安装在FR4板
1
t
=
10 s
0.8
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
6
0.6
DC
4
0.4
2
0.2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0
50
100
150
Tatal栅极电荷Q
g
（ NC ）
环境温度Ta （C ）
6
2007-11-01
