SSM5H08TU
MOS电气特性图
I
D
- V
S
（ MO S FET ）
3.0
I
D
- V
的s
（ MO S FET ）
10000
4.0V
2.5
2.5V
常见的来源
Ta=25℃
1000
常见的来源
V
DS
=3V
漏电流I
D
（MA ）
漏电流I
D
（MA ）
2.0
2.0V
100
Ta=85℃
10
25℃
1.5
V
GS
=1.8V
1.0
1
-25℃
0.5
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
漏源电压V
DS
(V)
1.5
2.0
0.01
0
1
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
3
4
R
S（O N）
- ID（ MO S FET ）
500
R
S（O N）
- V G S（ MO S FET ）
0.5
常见的来源
Ta=25℃
400
漏源导通电阻
常见的来源
I
D
=0.75A
0.4
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
R
DS （ ON）
(Ω)
300
0.3
200
2.5V
0.2
25℃
Ta=85℃
100
V
GS
=4.0V
0.1
-25℃
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
漏电流I
D
(A)
0
0
2
4
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
6
8
R
S（O N）
- T A （ MO S FET ）
0.5
V日 - TA （ MO S FET ）
2
常见的来源
I
D
=0.75A
0.4
漏源导通电阻
1.8
1.6
1.4
栅极阈值电压
值Vth（ V）的
常见的来源
I
D
=0.1mA
V
DS
=3V
R
DS （ ON）
(Ω)
0.3
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
2.5V
0.1
4.0V
0
-25
0
25
50
75
100
0
-25
0
25
50
75
100
AMBIENT期温度TA（ ℃ ）
AMBIENT期温度TA（ ℃ ）
5
2007-11-01
