TCM811/TCM812
4.0
应用信息
在TCM811 / TCM812提供准确V
DD
在上电期间监控和复位时序，加电
断和掉电/凹陷的条件。这些设备
也拒绝对负向瞬态（毛刺）
电源线。
图4-1
示出了最大
瞬态持续时间与最大负偏移
（超速）的干扰抑制。的任意组合
持续时间和过载是曲线下不会
产生复位信号。曲线以上的组合
被检测为欠压或掉电。短暂
免疫力可以通过添加一个0.1 μF的电容可以提高
在靠近于V
DD
引脚TCM811的/
TCM812.
使得它不会明显地加载有RESET下
正常操作（100 k将适合于最
应用程序）。类似地，一个上拉电阻到V
DD
is
为确保有效的高RESET所需TCM812
对于V
DD
下面1.1V 。
V
DD
4
0.1F
V
DD
TCM811
2
RESET
R
1
100 kΩ
V
DD
GND
V
TH
高速模式=
V
D D
1
长短
最大瞬态持续时间（微秒）
图4-2：
加的R
1
在
在TCM811的RESET输出保证
复位输出仍有效V
DD
= 0V.
400
T
A
= +25C
4.2
320
控制器和处理器
双向I / O引脚
240
160
TCM81xL/M
80
TCM81xR/S/T
0
1
10
1000
100
复位比较OVERDRIVE ，
VTH - VDD （MV ）
某些单片机具有双向复位引脚。
视的电流驱动能力
控制器引脚，一个不确定的逻辑电平可能会导致如果
有一个逻辑冲突。这可避免增加
一个4.7 k电阻串联的输出
TCM811 / TCM812 （图
4-3).
如果有其它
在需要一个复位信号的系统组件，
它们应该被缓冲，以便不加载的复位线。
如果有其它组件都需要跟随复位
I /微控制器的O，缓冲区应该是
所示连接用实线表示。
缓冲器复位
其它系统
组件
卜FF器
V
DD
4
0.1F
TCM811
4.7 kΩ
RESET
GND
1
2
RESET
GND
微
调节器
图4-1：
最大瞬态持续时间
与毛刺抑制过激励，在+ 25°C 。
4.1
复位信号的完整性在
掉电
在TCM811 RESET推挽输出仍有效
V
DD
= 1.0V 。低于这个电压的输出变为
"open circuit" ，不能吸收电流。这意味着
CMOS逻辑输入到单片机将浮动
在一个不确定的电压。大多数数字系统
完全关机远高于此电压。然而
以往，在情况下，必须保持RESET
有效期至V
DD
= 0V ，一个下拉电阻必须CON组
从连接的RESET接地放电流浪
电容和保持输出为低电平（图
4-2).
这
电阻值，虽然不是关键的，应选择
图4-3：
接口的TCM811到
双向复位I / O。
2007 Microchip的技术公司
DS21615C第7页
