TCM811/TCM812
1.0
电动
特征
*注意：
超出下??绝对最大额定应力上市
英格斯？可能对器件造成永久性损坏。这些都是强调
唯一的评分，并且在这些或任何其他设备的功能操作
超越那些的业务部门所标明的条件
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压（
V
DD
到GND） ........................................ + 6.0V
复位，复位.................................... - 0.3V至（
V
DD
+ 0.3V)
输入电流，
V
DD
.................................................. ...... 20毫安
输出电流，复位，复位................................... 20毫安
工作温度范围......................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.......................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温，T
S
.............................. 150°C
电气特性
V
DD
= 5V为L / M版本，V
DD
= 3.3V的T / S版，V
DD
= 3V的R版本，V
DD
= 2.0V适用于F版本。
除非另有说明，T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在T
A
= + 25°C 。 （注
1)
参数
V
DD
范围
电源电流
符号
V
DD
I
CC
民
1.0
1.1
—
—
复位门限
V
TH
4.54
4.50
4.30
4.25
3.03
3.00
2.88
2.85
2.58
2.55
1.71
1.70
复位门限温度系数
V
DD
到复位延迟
—
—
—
复位有效超时周期
MR最小脉冲宽度
磁共振抗干扰性
MR重置传播
延迟
t
MD
t
RP
t
MR
140
10
—
—
典型值
—
—
6
4.75
4.63
—
4.38
—
3.08
—
2.93
—
2.63
—
1.75
—
30
20
5
280
—
100
0.5
最大
5.5
5.5
15
10
4.72
4.75
4.46
4.50
3.14
3.15
2.98
3.00
2.68
2.70
1.79
1.80
—
—
—
560
—
—
—
单位
V
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
PPM /°C的
s
s
ms
s
ns
s
V
DD
= V
TH
到V
TH
-125 mV的;
TCM81_L/M
V
DD
= V
TH
到V
TH
-125 mV的;
TCM81_R/S/T/F
V
DD
= V
TH （最大）
TCM811
TCM812
TCM81_L / M ，V
DD
= 5.5V ，我
OUT
= 0
TCM81_R / S / T / F，V
DD
= 3.6V,
I
OUT
= 0
TCM81_L ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_M ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_T ：
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
条件
TCM81_S ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_R ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
TCM81_F ：T已
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
注1 ：
做在T生产测试
A
= + 25 ° C和+ 85°C ，过温限制定期QA测试测试
在生产。
DS21615C第2页
2007 Microchip的技术公司
