37LV36/65/128
表11-4：
直流编程规范
环境温度：环境温度Tamb = 25°C
±5°C
分钟。
V
CCP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
PP
1
V
PP
2
I
PPP
I
L
V
CCL
V
CCH
电源电压编程过程中
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
编程电压*
编程模式接入电压
在编程模式下电源电流
输入或输出漏电流
第一遍低级别的电源电压连接最终VERI网络阳离子
第二次高级别电源电压连接最终VERI网络阳离子
5.0
0.0
2.4
—
3.7
12.5
V
CCP
—
-10
2.8
6.4
范围
单位
马克斯。
6.0
0.5
V
CC
0.4
—
13.5
V
CCP
+1
100
10
3.0
6.6
V
V
V
V
V
V
V
mA
A
V
V
符号
参数
*无过冲被允许在该信号。 VPP绝不允许超过14伏。
表11-5：
交流编程规范（见注2 ）
范围
符号
T
RPP
T
FPP
T
PGM
T
SVC
T
SVCE
T
SVOE
T
HVC
T
SDP
T
HDP
T
LCE
T
SCC
T
SIC
T
HIC
T
HOV
T
PCAC
T
POH
T
PCE
参数
分钟。
10 ％至V的90 ％上升时间
PP
90 ％至V的10 ％下降时间
PP
V
PP
编程脉冲宽度
V
PP
安装到CLK进入编程模式
CE安装到CLK进入编程模式
OE设置为CLK进入编程模式
V
PP
从CLK按住进入编程模式
数据建立到CLK的编程
从CLK的编程数据保持
CE低时间清除数据锁存器
CE安装到CLK的编程/验证
OE设置为CLK递增地址计数器
从CLK OE保持递增地址计数器
从V OE保持
PP
CLK到数据有效
从CLK数据保持
CE低到数据有效
0
250
1
1
.50
100
100
100
300
50
0
100
100
100
0
200
400
1.05
马克斯。
单位
s
s
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
注1
注1
注1
注1
注1
注1
注1
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
注2 ：
在编程模式中，行政长官只应改变，而OE为高电平，并一直居高不下的200纳秒，
和OE应该只在CE为高电平，并一直居高不下的200 ns的改变。
2004年Microchip的科技公司
DS21109F第7页
