2N60
典型特征（续）
击穿电压与温度
.
1.2
功率MOSFET
在-Resistance与温度的关系
3.0 V =10V
GS
I
D
=4.05A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100 -50
200
漏源击穿电压，
V
DSS
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
-100 -50
0
50
100
150
200
漏源导通电阻，
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS
=10V
I
D
=250μA
0
50
100
150
结温，T
J
(℃)
结温，T
J
(℃)
马克斯。安全工作区
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
漏电流，我
D
(A)
漏电流，我
D
(A)
10
1
100μs 10μs
1ms
10m
Ds
C
T
C
=25℃
T
J
=125℃
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
2.0
马克斯。漏电流与外壳温度
1.5
10
0
1.0
10
-1
0.5
10
-2
0.0
25
50
75
100
125
外壳温度，T
C
(℃)
150
漏极 - 源极电压V
DS
(V)
热响应
热响应，
θ
JC
(t)
10
0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
θ
JC
（ T） = 2.78 ℃ / W最大。
占空比， D = T1 / T2
T
JM
-T
C
=P
DM
×θ
JC
(t)
10
-1
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t1
t2
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
1
方波脉冲持续时间T
1
(s)
,
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
第7 8
QW-R502-053,E
