UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N60
2安培， 600伏
N沟道MOSFET
描述
与UTC 2N60是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
高速开关电源中的应用， PWM马达
控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
1
功率MOSFET
TO- 251
1
TO-252
1
TO-220
特点
* R
DS （ ON）
= 3.8@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值9.0nC ）
*低反向传输电容（的Crss =典型5.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-220F
*无铅电镀产品编号： 2N60L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
包
正常
无铅电镀
2N60-TA3-T
2N60L-TA3-T
TO-220
2N60-TF3-T
2N60L-TF3-T
TO-220F
2N60-TM3-T
2N60L-TM3-T
TO-251
2N60-TN3-R
2N60L-TN3-R
TO-252
2N60-TN3-T
2N60L-TN3-T
TO-252
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
管
2N60L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管， R：带卷轴
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF3 ： TO- 220F ， TM3 ： TO- 251 ，
TN 3 ： TO- 252
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-053,E
