2N5306
2N5306
NPN达林顿晶体管
本设备是专为要求极高的应用
电流增益电流1.0A 。
从工艺05采购。
见MPSA14的特点。
TO-92
1
1.辐射源2.收藏家3.基地
绝对最大额定值*
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
价值
25
25
12
1.2
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
C
cb
h
fe
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 0.1μA ，我
E
= 0
I
E
= 0.1μA ，我
C
= 0
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
V
CB
= 25V ，我
E
= 0, T
a
= 100°C
V
EB
= 12V，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 100毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 0.2毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 0.2毫安
I
C
=的200mA， V
CE
= 5.0V
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5.0V,
F = 1.0kHz
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5.0V,
F = 10MHz时
7000
6.0
7,000
20,000
分钟。
25
25
12
0.1
20
0.1
70,000
1.4
1.6
1.5
10
V
V
V
pF
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压Saturatin
基射极电压上
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
在特性*
小信号特性
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年7月
