【2N53062N5306NPN达林顿晶体管本设备是专为要求极高的应用电流增益电流1.0A 。从工艺0】,IC型号2N5306,2N5306 PDF资料,2N5306经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N5306

NPN达林顿晶体管

本设备是专为要求极高的应用

电流增益电流1.0A 。

从工艺05采购。

见MPSA14的特点。

TO-92

1

1.辐射源2.收藏家3.基地

绝对最大额定值*

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

工作和存储结温范围

价值

25

12

1.2

-55 ~ +150

单位

V

A

°C

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1.这些额定值是基于对150度C的最高结温

2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

V

BE

（上）

C

cb

h

fe

参数

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

C

= 0.1μA ，我

E

= 0

I

E

= 0.1μA ，我

C

= 0

V

CB

= 25V ，我

E

= 0

V

CB

= 25V ，我

E

= 0, T

a

= 100°C

V

EB

= 12V，我

C

= 0

V

CE

= 5.0V ，我

C

= 2.0毫安

V

CE

= 5.0V ，我

C

= 100毫安

I

C

=的200mA，我

B

= 0.2毫安

I

C

=的200mA，我

B

= 0.2毫安

I

C

=的200mA， V

CE

= 5.0V

V

CB

= 10V ， F = 1.0MHz的

I

C

= 2.0毫安，V

CE

= 5.0V,

F = 1.0kHz

I

C

= 2.0毫安，V

CE

= 5.0V,

F = 10MHz时

7000

6.0

7,000

20,000

分钟。

25

12

0.1

20

0.1

70,000

1.4

1.6

1.5

10

V

pF

典型值。

马克斯。

单位

V

A

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压Saturatin

基射极电压上

集电极 - 基极电容

小信号电流增益

在特性*

小信号特性

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年7月

2N5306

热特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

参数

马克斯。

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年7月

2N5306

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年7月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

ActiveArray

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

快

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

放弃

ImpliedDisconnect ？吃豆？

POP

等平面

Power247

LittleFET

的PowerTrench

的MicroFET

QFET

采用MicroPak

QS

MICROWIRE

QT光电

MSX

静音系列

MSXPro

RapidConfigure

OCX

RapidConnect

OCXPro

SILENT SWITCHER

OPTOLOGIC

SMART START

OPTOPLANAR

SPM

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

我牧师

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

TO-92

型号

描述

领导

CODE

(V)

民

60

40

120

60

50

35

30

25

50

25

30

70

25

40

25

40

60

40

60

40

130

160

40

50

160

180

40

30

15

40

35

VCBO

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* ICES

(V)

* VCES

* ICEV

民

40

80

40

30

50

30

25

50

20

25

30

50

25

40

25

40

30

40

120

150

25

30

140

160

15

25

最大

6.0

5.0

3.0

4.5

5.0

4.5

3.0

4.0

3.0

5.0

12

4.0

5.0

6.0

5.0

6.0

4.5

3.0

4.5

5.0

最大

100*

10

30

50

10

50

100

50

100

300

100

30

100

50

10

50

100

50

100

50

400

10

500*

100

35

100

40

10

20

15

25

35

10

15

10

50

25

40

25

40

30

100

120

20

100

120

20

15

8.0

20

25

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

民

100

50

100

60

180

100

200

150

250

300

400

100

200

50

30

50

250

7,000

250

100

250

200

40

120

100

40

60

30

60

80

40

50

30

60

最大

300

150

300

400

540

300

600

500

800

900

1,200

500

300

600

800

600

700

500

70,000

500

300

500

400

--

300

180

240

300

150

250

120

200

120

200

@ @ VCE IC

(V)

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

(V)

（MA ）

TO-92-18R

fT

NF

花花公子

2N4401

2N4402

2N4403

2N4410

2N4424

2N4952

2N4953

2N5086

2N5087

2N5088

2N5089

2N5172

2N5209

2N5210

2N5223

2N5225

2N5226

2N5227

2N5232A

2N5306

2N5308

2N5356

2N5366

2N5367

2N5374

2N5375

2N5376

2N5377

2N5381

2N5383

2N5400

2N5401

2N5447

2N5448

2N5550

2N5551

2N5769

2N5770

2N5771

2N5772

2N5810

2N5811

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

PN低噪声

NPN低噪声

NPN达林顿

PNP幅度/ SWITCH

PN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

CBE

1.0

2.0

1.0

0.45

10

5.0

10

5.0

0.70

10

5.0

1.0

10

5.0

1.0

5.0

0.35

1.0

0.30

0.40

2.0

150

10

0.30

150

0.10

10

0.10

10

50

2.0

50

150

1.0

10

50

10

8.0

10

30

2.0

0.75

0.20

50

0.30

0.50

0.25

0.70

1.20

0.80

0.40

0.125

1.40

0.25

0.30

--

12

0.25

0.50

0.25

0.20

0.50

0.40

0.60

0.50

0.75

500

1.0

--

150

10

100

10

200

50

150

--

10

50

100

10

50

300

500

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

6.5

250

--

255

8.5

12

--

8.0

4.0

13

4.0

20

8.0

10

4.0

10

8.0

10

8.0

4.0

4.5

6.0

12

6.0

4.0

1.1

3.0

5.0

15

150

200

60

--

250

40

50

200*

30

150

50

100

--

60

250*

150

--

300

250

100

500

800

850

350

100

-

--

3.0

2.0

3.0

2.0

--

3.0

2.0

--

5.0

--

5.0

4.0

8.0

--

10

8.0

--

255

--

400

--

5.0

--

18

--

20

28

--

PNP高压EBC

PNP幅度/ SWITCH

CBE

NPN高压EBC

NPN SAT SWITCH

NPN RF OSC

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

EBC

CBE

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

TO- 92-18R

73

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

2N5306

分立功率&信号

技术

2N5306

C

BE

TO-92

NPN达林顿晶体管

该器件是专为要求极高的应用

高电流增益，在电流为1.0 A.从源

处理05.见MPSA14的特点。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

25

12

1.2

-55到+150

单位

V

A

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

2N5306

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

1997仙童半导体公司

2N5306

NPN达林顿晶体管

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 0.1

A,

I

E

= 0

I

E

= 0.1

A,

I

C

= 0

V

CB

= 25 V，I

E

= 0

V

CB

= 25 V，I

E

= 0, T

A

= 100

°C

V

EB

= 12 V，I

C

= 0

25

12

0.1

20

0.1

V

A

基本特征*

h

FE

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

V

BE （

on

)

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 2.0毫安

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100毫安

I

C

= 200毫安，我

B

- 0.2毫安

I

C

= 200毫安，我

B

- 0.2毫安

I

C

= 200毫安， V

CE

= 5.0 V

7,000

20,000

70,000

1.4

1.6

1.5

V

小信号特性

C

cb

h

fe

集电极 - 基极电容

小信号电流增益

V

CB

= 10 V ， F = 1.0 MHz的

I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 5.0 V,

F = 1.0千赫

I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 5.0 V,

F = 10MHz的

7,000

6.0

10

pF

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%