2SK3586-01
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
TO-220AB
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
100
V
V
DSX * 5
70
A
连续漏电流
I
D
±50
A
漏电流脉冲
I
D（ PULS ]
±200
V
栅源电压
V
GS
±30
A
非重复性雪崩电流I
AS * 2
50
mJ
最大雪崩能量
E
AS * 1
465
KV / μs的
最大漏源的dV / dt
dV
DS
/ DT
*4
20
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
马克斯。功耗
P
D
Ta=25
2.02
W
°C
Tc=25
135
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< 150 ° C * 3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 223μH ， VCC = 48V
* 2总胆固醇=
=
=
=
*4 V
DS
<100V
*5 V
GS
=-30V
=
项
漏源电压
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=100V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=80V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 25A V
GS
=10V
I
D
= 25A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=25A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=50V
I
D
=50A
V
GS
=10V
L = 100μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
100
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
25
2745
690
57
30
53
75
35
78
24
27
1.65
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
15
10
19
30
1830
460
38
20
35
50
23
52
16
18
1.10
0.1
0.4
ns
nC
50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.926
62.0
单位
° C / W
° C / W
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
1
2SK3586-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 48V ， I（ AV） < = 50A
500
200
175
400
150
125
100
75
50
100
25
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
300
EAV [兆焦耳]
PD [ W]
200
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
200
20V
10V
160
100
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
8V
80
7.5V
7.0V
40
6.5V
6.0V
VGS=5.5V
0
0
2
4
6
8
10
12
ID [ A]
120
10
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
0.15
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS =
5.5V 6.0V 6.5V 7.0V
7.5V
0.12
10
RDS （上）
]
0.09
GFS [S]
8V
0.06
10V
1
0.03
20V
0.1
0.1
0.00
0
40
80
120
160
200
1
10
100
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3586-01
FUJI功率MOSFET
60
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 25A ， VGS = 10V
7.0
6.5
栅极阈值电压与总胆固醇
A
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
50
6.0
5.5
5.0
马克斯。
RDS （上） [M
]
40
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
30
马克斯。
20
2.5
典型值。
2.0
1.5
10
1.0
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 50A ，总胆固醇= 25°C
10
14
12
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
西塞
0
10
VGS电压[V]的
8
6
C [ nF的]
VCC = 50V
科斯
10
4
2
-1
CRSS
0
0
20
40
60
80
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 48V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
tf
10
2
10
TD （关闭）
tr
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
1
10
1
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3586-01
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
FUJI功率MOSFET
10
1
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
最大雪崩电流脉宽
10
2
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 48V
单脉冲
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
4
2SK3586-01
FUJI功率MOSFET
200304
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
TO-220AB
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
100
V
V
DSX * 5
70
A
连续漏电流
I
D
±73
A
漏电流脉冲
I
D（ PULS ]
±292
V
栅源电压
V
GS
±30
A
非重复性雪崩电流I
AS * 2
73
mJ
最大雪崩能量
E
AS * 1
319.2
KV / μs的
最大漏源的dV / dt
dV
DS
/ DT
*4
20
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
马克斯。功耗
P
D
Ta=25
2.02
W
°C
Tc=25
270
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
<150°C
* 1 L = 71.9μH ， VCC = 48V ，总胆固醇= 25 ° C，看到雪崩能量图
* 2总胆固醇=
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 V
DS
<100V * 5 V
GS
=-30V
=
=
=
=
项
漏源电压
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=100V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=80V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 25A V
GS
=10V
I
D
= 25A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=25A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=50V
I
D
=50A
V
GS
=10V
L = 71.9μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
100
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
25
2745
690
57
30
53
75
35
78
24
27
1.65
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
15
10
19
30
1830
460
38
20
35
50
23
52
16
18
1.10
0.1
0.4
ns
nC
73
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.463
62.0
单位
° C / W
° C / W
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
1
2SK3586-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
400
800
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E
AS
= F （首发TCH） ： VCC = 48V
I
AS
=30A
350
700
300
600
I
AS
=44A
250
500
PD [ W]
E
AS
[兆焦耳]
200
400
I
AS
=73A
300
150
100
200
50
100
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
200
20V
10V
160
100
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
8V
80
7.5V
7.0V
40
6.5V
6.0V
VGS=5.5V
0
0
2
4
6
8
10
12
ID [ A]
120
10
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
0.15
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS =
5.5V 6.0V 6.5V 7.0V
7.5V
0.12
10
RDS （上）
]
0.09
GFS [S]
8V
0.06
10V
1
0.03
20V
0.1
0.1
0.00
0
40
80
120
160
200
1
10
100
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3586-01
FUJI功率MOSFET
60
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 25A ， VGS = 10V
7.0
6.5
栅极阈值电压与总胆固醇
A
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
50
6.0
5.5
5.0
马克斯。
RDS （上） [M
]
40
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
30
马克斯。
20
2.5
典型值。
2.0
1.5
10
1.0
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 50A ，总胆固醇= 25°C
10
14
12
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
西塞
0
10
VGS电压[V]的
8
6
C [ nF的]
VCC = 50V
科斯
10
4
2
-1
CRSS
0
0
20
40
60
80
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 48V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
tf
10
2
10
TD （关闭）
tr
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
1
10
1
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3586-01
最大雪崩电流与脉冲宽度
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=48V
FUJI功率MOSFET
10
3
雪崩电流I
AV
[A]
10
2
单脉冲
10
1
10
0
10
-8
10
-1
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ）
°
C / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
2SK3586-01
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
TO-220AB
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
100
V
V
DSX * 5
70
A
连续漏电流
I
D
±50
A
漏电流脉冲
I
D（ PULS ]
±200
V
栅源电压
V
GS
±30
A
非重复性雪崩电流I
AS * 2
50
mJ
最大雪崩能量
E
AS * 1
465
KV / μs的
最大漏源的dV / dt
dV
DS
/ DT
*4
20
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
马克斯。功耗
P
D
Ta=25
2.02
W
°C
Tc=25
135
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< 150 ° C * 3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 223μH ， VCC = 48V
* 2总胆固醇=
=
=
=
*4 V
DS
<100V
*5 V
GS
=-30V
=
项
漏源电压
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=100V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=80V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 25A V
GS
=10V
I
D
= 25A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=25A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=50V
I
D
=50A
V
GS
=10V
L = 100μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
100
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
25
2745
690
57
30
53
75
35
78
24
27
1.65
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
15
10
19
30
1830
460
38
20
35
50
23
52
16
18
1.10
0.1
0.4
ns
nC
50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.926
62.0
单位
° C / W
° C / W
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
1
2SK3586-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 48V ， I（ AV） < = 50A
500
200
175
400
150
125
100
75
50
100
25
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
300
EAV [兆焦耳]
PD [ W]
200
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
200
20V
10V
160
100
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
8V
80
7.5V
7.0V
40
6.5V
6.0V
VGS=5.5V
0
0
2
4
6
8
10
12
ID [ A]
120
10
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
0.15
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS =
5.5V 6.0V 6.5V 7.0V
7.5V
0.12
10
RDS （上）
]
0.09
GFS [S]
8V
0.06
10V
1
0.03
20V
0.1
0.1
0.00
0
40
80
120
160
200
1
10
100
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3586-01
FUJI功率MOSFET
60
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 25A ， VGS = 10V
7.0
6.5
栅极阈值电压与总胆固醇
A
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
50
6.0
5.5
5.0
马克斯。
RDS （上） [M
]
40
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
30
马克斯。
20
2.5
典型值。
2.0
1.5
10
1.0
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 50A ，总胆固醇= 25°C
10
14
12
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
西塞
0
10
VGS电压[V]的
8
6
C [ nF的]
VCC = 50V
科斯
10
4
2
-1
CRSS
0
0
20
40
60
80
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 48V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
tf
10
2
10
TD （关闭）
tr
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
1
10
1
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3586-01
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
FUJI功率MOSFET
10
1
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
最大雪崩电流脉宽
10
2
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 48V
单脉冲
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
4
QQ：2881677436 复制
