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8兆位的SPI串行闪存
SST25VF080B
数据表
产品订购信息
SST
25
XX
VF
XX
080 B
XXX X
-
-
50
XX
- 4C -
- XX -
S2A F
XXX X
环境属性
F
1
=无铅/非接触锡（铅）表面处理：
镀镍带黄金顶层（外层）
包修改
A = 8线索或联系人
套餐类型
S2 = SOIC 200万体宽
Q = WSON
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
工作频率
50 = 50 MHz的
器件密度
080 = 8兆位
电压
V = 2.7-3.6V
产品系列
25 =串行外设接口闪存
1.环境后缀“F”，表示非铅/非Sn焊料。
SST无铅锡/非锡焊器件均“符合RoHS ” 。
对于SST25VF080B有效组合
SST25VF080B-50-4C-S2AF
SST25VF080B-50-4I-S2AF
SST25VF080B-50-4C-QAF
SST25VF080B-50-4I-QAF
注意：
有效组合是已量产或即将量产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2006硅存储技术公司
S71296-01-000
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