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4兆位的SPI串行闪存
SST25VF040B
数据表
32K字节和64K字节的块擦除
32 KB的块擦除指令将在所有位
选择的32 K字节的块为FFH。 A座擦除指令
施加到受保护的存储器区域将被忽略。该
64 KB的块擦除指令将在所有位
选择的64 K字节的块为FFH。 A座擦除指令
施加到受保护的存储器区域将被忽略。之前
任何写操作，写使能（ WREN）指令
必须执行。 CE ＃必须保持有效低电平的
持续时间任何命令序列。 32字节块 -
擦除指令执行8位发起的COM
命令， 52H ，其次是地址位[A
23
-A
0
] 。地址位
[A
MS
-A
15
] (A
MS
=最高有效地址）被用来
确定块地址（ BA
X
） ，剩下的地址位可以
为V
IL
或V
IH 。
CE ＃必须的指令之前被驱动为高电平
被执行。 64 KB的块擦除指令initi-
通过执行一个8位的命令D8H ated ，随后
地址位[A
23
-A
0
] 。地址位[A
MS
-A
15
]用于
确定块地址（ BA
X
） ，剩下的地址位可以
为V
IL
或V
IH 。
CE ＃必须的指令之前被驱动为高电平
被执行。用户可以查询该软件中的忙位
状态寄存器或等待牛逼
BE
为完成内部的
自定时32K字节的块擦除或64 KB的块擦除
周期。参见图12和图13为32 KB的块 -
擦除和64 KB的块擦除序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
52
ADDR
最高位
ADDR
ADDR
SO
高阻抗
1295 32KBklEr.0
图12： 32 -KB的
YTE
B
LOCK
-E
RASE
S
EQUENCE
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
D8
ADDR
最高位
ADDR
ADDR
SO
高阻抗
1295 63KBlkEr.0
图13 ： 64 KB
YTE
B
LOCK
-E
RASE
S
EQUENCE
2006硅存储技术公司
S71295-01-000
1/06
15
