位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第461页 > SST25VF040B-50-4C-QAF > SST25VF040B-50-4C-QAF PDF资料 > SST25VF040B-50-4C-QAF PDF资料1第14页
4兆位的SPI串行闪存
SST25VF040B
数据表
4KB的扇区擦除
扇区擦除指令清除所选的所有4位
KB扇区为FFH 。一个扇区擦除指令适用于
受保护的存储器区域将被忽略。在此之前的任何写
操作时，写使能（ WREN）指令必须是
执行。 CE＃必须保持有效低电平的持续时间
任何命令序列。扇区擦除指令
通过执行一个8位的命令启动，20H ，其次是
地址位[A
23
-A
0
] 。地址位[A
MS
-A
12
] (A
MS
=最
显著地址）被用来确定该扇区
地址（SA
X
） ，其余的地址位可以是V
IL
或V
IH 。
CE＃必须驱动为高电平的指令执行前。
用户可以轮询软件状态的忙位寄存器
器或等待牛逼
SE
为完成内部的自定时
扇区擦除周期。参见图11的扇区擦除
序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31
SCK
模式0
SI
最高位
20
添加。
最高位
添加。
添加。
SO
高阻抗
1295 SecErase.0
图11 ：
埃克特
-E
RASE
S
EQUENCE
2006硅存储技术公司
S71295-01-000
1/06
14
