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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
数据表
表4 ：
OFTWARE
C
OMMAND
S
EQUENCE
命令
顺序
字编程
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
软件ID退出
软件ID退出
第一巴士
写周期
ADDR
1
5555H
5555H
5555H
5555H
XXH
5555H
数据
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
F0H
AAH
2AAAH
55H
5555H
F0H
T4.4 1209
第二巴士
写周期
ADDR
1
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
数据
55H
55H
55H
55H
55H
3公交车
写周期
ADDR
1
5555H
5555H
5555H
5555H
5555H
数据
A0H
80H
80H
80H
90H
4公交车
写周期
ADDR
1
WA
2
5555H
5555H
5555H
数据
数据
AAH
AAH
AAH
第五公交
写周期
ADDR
1
2AAAH
2AAAH
2AAAH
数据
55H
55H
55H
第六届巴士
写周期
ADDR
1
SA
X3
BA
X
3
数据
30H
50H
10H
5555H
软件ID进入
4,5
5555H
1.地址格式的
14
-A
0
（十六进制） ，地址
15
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，对于命令序列。
2. WA =程序字地址
3. SA
X
对于扇区擦除;使用一
MS
-A
11
地址线
BA
X
为块擦除;使用一
MS
-A
15
地址线
A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
16
对于SST32HF202 ，A
17
对于SST32HF402 ，和A
18
对于SST32HF802
4.设备不停留在软件产品ID模式，如果断电。
5.带
MS
-A
1
= 0; SST制造商ID = 00BFH ，读有A
0
= 0,
SST32HF202设备ID = 2789H ，读有A
0
= 1,
SST32HF402设备ID = 2780H ，读有A
0
= 1
SST32HF802设备ID = 2781H ，读有A
0
= 1.
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.3V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.0V到V
DD
+2.0V
包装功率耗散能力（T
A
= 25 ℃）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
表面贴装回流焊温度
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃ 10秒
输出短路电流
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
1.排除某些与铅32 PLCC单位，所有的包都260
°
（3）具有两个非铅和无铅焊料的版本。
一定有铅32 PLCC封装类型都能够240
°
下进行10秒;请咨询厂家的最新信息。
2.输出短路为不超过一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
EXTENDED
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-20 ° C至+ 85°C
V
DD
2.7-3.3V
2.7-3.3V
AC - C
作者ONDITIONS
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 30 pF的
请参阅图16和17
2005硅存储技术公司
S71209-06-000
5/05
9
