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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
数据表
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST32HF202 /八百〇二分之四百〇二闪存银行
在内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。请注意，即使DQ
7
可有有效数据
立即完成内部写以下
操作时，剩余的数据输出仍然可能是无效的：
整个数据总线上的有效数据将出现在后续的
连续读周期， 1微秒的时间间隔后。中
内部擦除操作，任何尝试读取DQ
7
将亲
达斯一个'0'。一旦内部擦除操作完成时，
DQ
7
将产生一个'1'。该数据＃查询后有效
上涨的4个WE ＃边沿（或BEF ＃ ）脉冲计划
操作。对于扇区擦除或块擦除，数据＃查询
后6个WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的上升沿有效。
参见图9为数据＃查询时序图和图
19为一个流程图。
闪存软件数据保护（ SDP ）
该SST32HF202 / 802分之402提供了JEDEC核准
所有闪存库软件的数据保护方案
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST32HF202 / 802分之402设备附带的软
洁具数据保护永久启用。见表4
具体的软件命令代码。在SDP的COM
命令序列，无效的SDP命令将中止
设备所读取的模式，内读周期时间（T
RC
).
并发的读写操作
该SST32HF202 / 802分之402提供的独特的好处
能够读取或写入SRAM，而simulta-
neously擦除或编程的Flash 。这使得
数据修改代码可以从SRAM中执行，而替代方案
荷兰国际集团在Flash中的数据。下表列出了所有有效的状态。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
闪光触发位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。闪速存储器区块然后准备进行下一次
操作。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。为
部门或银行擦除，切换位后上涨有效
第六WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的边缘。见图10
翻转位时序图和图19的流程图。
Flash存储器数据保护
该SST32HF202 / 802分之402闪存银行提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
闪存硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制Flash写操作。这可以防止
在上电或断电的意外写操作。
2005硅存储技术公司
S71209-06-000
5/05
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