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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
数据表
TOP VIEW （球朝下）
SST32HF802
6
5
4
3
2
BES ＃ VSS DQ1
A10 DQ5 DQ2
OE ＃ DQ7 DQ4
A11
A13
A8
A5
A1
A0
DQ0
DQ8
A2
A3
A6
A4
A7
A18
NC
NC
NC
A9
A14
A15
DQ3 DQ12
A12 LBS ＃
DQ6 DQ15
1209 48 - TBGA LBK P2.0
瑞银A17 ＃ BEF ＃ DQ10 VDDF
VSS
1
WE＃ VDDS A16
DQ9 DQ11 DQ13 DQ14
A B C D E F G H
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
LBGA （ 10
MM X
12
MM
)
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
DQ
15
-DQ
0
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
功能
提供闪存的地址，A
16
-A
0
为2M ，A
17
-A
0
为4M ，而A
18
-A
0
为8M 。
提供SRAM地址，A
16
-A
0
为2M 。
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在闪存擦除/编程周期内锁定。
输出处于三态，当OE ＃或BES ＃和BEF ＃高。
要激活SRAM存储器组时， BES ＃低。
要激活闪存库时BEF ＃低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
2.7-3.3V电源（用于L3K包只）
2.7-3.3V电源闪存只
2.7-3.3V电源为SRAM只
为了使DQ
15
-DQ
8
启用
DQ
7
-DQ
0
未连接引脚
T2.4 1209
BES ＃
BEF ＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
DDF2
V
DDS2
V
SS
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
NC
SRAM记忆库启用
闪存银行启用
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
电源供应器（闪存）
电源供应器（ SRAM ）
地
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
无连接
1. A
MS
=最显著地址
2. F
或SST32HF802在LBK包只
2005硅存储技术公司
S71209-06-000
5/05
7
