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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
数据表
该SST32HF202 / 802分之402设备适合于应用
两者都使用的快闪存储器和SRAM存储器到系统蒸发散
存储代码或数据。对于需要低功耗系统和
小巧的外形，在SST32HF202 /八百〇二分之四百〇二设备显
icantly提高性能和可靠性，同时降低
功耗，当有多个芯片相比
的解决方案。该SST32HF202 / 802分之402天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
SRAM读
该SST32HF202的SRAM读操作/ 802分之402是
通过OE ＃和＃ BES控制，既要低，
WE＃高的系统，以获得从所述输出数据。
BES ＃用于SRAM银行的选择。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。看
图3为读周期时序图。
SRAM写
该SST32HF202的SRAM写操作/八百〇二分之四百〇二是
由WE ＃和＃ BES控制，既要低的
系统写入到SRAM中。在字写能操作
ATION ，地址和数据引用到上升
任BES ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
写入时间是从最后的下降沿测量到的第一
的BES ＃或WE ＃上升沿。请参阅图4和图5为
写周期的时序图。
闪光操作
随着BEF ＃活动的， SST32HF202操作为128K X16
闪速存储器，所述SST32HF402操作为256K x16的
闪速存储器，并且SST32HF802操作为512K
x16的闪速存储器。闪速存储器区块，使用读
共用地址线，数据线， WE＃和OE＃ 。
擦除和编程操作都与启动
JEDEC标准的SDP命令序列。地址
数据中的SDP的命令和在被锁存
内部定时擦除和编程操作。
设备操作
该ComboMemory使用BES ＃和BEF ＃控制能操作
ATION无论是SRAM或闪存银行。当
BES ＃低， SRAM银行进行读取和激活
写操作。当BEF ＃为低时，闪光灯的银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。 BES ＃和
BEF ＃不能在同一时间低的水平。
如果BES ＃和
BEF ＃都置为低电平总线争用会
导致与该设备可能遭受永久性损坏。
所有地址，数据和控制线由SRAM的共享
银行和银行闪光灯，最大限度地减少电力消耗
和装载。该器件进入待机状态时，这两个银行
使高。
Flash读
该SST32HF202的读操作/八百零二分之四百零二设备
由BEF ＃和OE ＃控制。既要低，以
WE＃高，为系统获得的输出数据。
BEF ＃用于闪存的银行选择。当
BEF ＃和BES ＃都很高，无论是银行和取消
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据
总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。请参阅
图6为进一步的细节。
SRAM操作
与BES ＃低， BEF ＃高， SST32HF202 /八百○二分之四百○二
操作为128K x16的CMOS SRAM ，具有完全静态操作
化，无需外部时钟或定时选通。该
SST32HF202 / 802分之402 SRAM被映射到所述第一128
KWord的地址空间。当BES ＃和BEF ＃高，
两个内存银行取消后，单片机进入
待机模式。读取和写入周期时间相等。该
控制信号瑞银＃和＃ LBS提供访问
上面的数据字节和低字节的数据。表3列出了SRAM
读写操作的数据字节控制模式。
2005硅存储技术公司
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