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16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162G / SST34HF164G
初步规格
芯片擦除六字节码
地址
19-0
555
2AA
555
555
2AA
555
T
SCE
BEF ＃
OE ＃
T
WP
WE＃
DQ
15-0
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX10
有效
1276 F12.0
注意：
该器件还支持BEF ＃控制芯片擦除操作。
WE＃和BEF ＃信号是可以互换的，只要满足最小时序要求。 （见表13 ）
X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
图12 ：F
LASH
WE＃
ONTROLLED
C
HIP
-E
RASE
T
即时通信
D
IAGRAM
FOR块擦除六字节码
地址
A
19-0
BEF ＃
OE ＃
T
WP
WE＃
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX50
555
2AA
555
555
2AA
BA
X
T
BE
DQ
15-0
有效
1276 F13.0
注意：
该器件还支持BEF ＃控制的块擦除操作。
WE＃和BEF ＃信号是可以互换的，只要满足最小时序要求。 （见表13 ）
BA
X
=块地址
X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
图13 ：F
LASH
WE＃
ONTROLLED
B
LOCK
-E
RASE
T
即时通信
D
IAGRAM
2004硅存储技术公司
S71276-00-000
11/04
20
