16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162C / SST34HF164C
初步规格
SRAM操作
与BES ＃低， BEF ＃高， SST34HF162C / 164C
工作为128K X16或X16 256K CMOS SRAM ，
具有完全静态操作无需外部时钟或时序
荷兰国际集团闪光灯。该SST34HF162C / 164C SRAM映射
到第一128 KWord的地址空间。当BES ＃和
BEF ＃高，所有的存储都取消和
器件进入待机状态。读取和写入周期时间
平等的。控制信号瑞银＃和＃ LBS提供访问
以高数据字节和低字节数据。见表4
SRAM读取和写入操作的数据字节控制模式
化。
SRAM读
该SST34HF162C的SRAM读操作/ 164C是
通过OE ＃和＃ BES控制，既要低，
WE＃高的系统，以获得从所述输出数据。
BES ＃用于SRAM银行的选择。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。
指的是读周期时序图，图3中，为了进一步
详细信息。
SRAM写
该SST34HF162C的SRAM写操作/ 164C是
由WE ＃和＃ BES控制，既要低的
系统写入到SRAM中。在字写能操作
ATION ，地址和数据引用到上升
以先到为准无论是BES ＃或WE ＃的边缘。该
写的时候是从BES ＃最后下降沿测量或
WE＃以BES ＃或WE ＃的第一个上升沿。参阅
写周期时序图，图4和图5中，用于进一步
详细信息。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
A
无国界医生
1
- A
0
A
MSS
2
- A
0
地址
缓冲器
超快闪记忆
（ BANK 1 ）
BEF ＃
LBS ＃
瑞银（UBS） ＃
WE＃
OE ＃
BES ＃
超快闪记忆
（银行2 ）
控制
逻辑
I / O缓冲器
DQ
15
- DQ
0
地址
缓冲器
2/4兆位的SRAM
1269 B1.1
注： 1。
无国界医生
=最显著flash地址
A
无国界医生
= A
19
对于SST34HF162C / 164C
2. A
MSS
=最重要的SRAM地址
A
MSS
= A
16
对于SST34HF162C和A
17
对于SST34HF164C
2004硅存储技术公司
S71269-01-000
9/04
5
