16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162C / SST34HF164C
初步规格
设备操作
该SST34HF162C / 164C使用BES ＃和BEF ＃来控制
无论是闪存或SRAM的存储体的操作。
当BEF ＃为低电平时，闪光灯银行被用于读激活
编程或擦除操作。当BES ＃为低的SRAM
被激活的读取和写入操作。 BEF ＃和BES ＃
不能在同时较低的水平。
如果所有银行启用
信号被认定时，总线争用将导致与
设备可能会受到永久性的损伤。
所有地址，
数据和控制线由闪存和SRAM共享
记忆库，最大限度地减少功耗和
装载。该器件进入待机状态时， BEF ＃和
BES ＃银行能够提高到V
IHC
（逻辑高电平）或
当BEF ＃高。
FLASH程序操作
这些设备被编程在字的字的基础。
在编程之前，必须确保该扇区
正被编程的完全擦除。
程序操作完成三个步骤：
1.软件数据保护正在使用的开始
3字节装入序列。
2.地址和数据被加载。
在编程操作期间，地址是
锁存的任BEF ＃或WE ＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的
任BEF ＃或WE ＃上升沿为准
先发生。
3.后启动内部编程操作
第四WE＃上升沿或BEF ＃ ，而─
先出现。编程操作，一旦ini-
tiated ，将在7微秒通常完成。
参见图7和图8为WE ＃和BEF ＃控制的亲
克操作时序图，图18为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部程序期间发出的任何命令操作
化被忽略。
并行读/写操作
该SST34HF162C / 164C提供的独特的好处
能够读取或写入SRAM，而simulta-
neously擦除或编程的Flash 。这使得数据
改变代码从SRAM中执行，而改变
在Flash中的数据。下表列出了所有有效的状态。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
闪存以部门/块擦除操作
这些器件同时提供扇区擦除和块擦除
操作。这些操作允许系统来擦除
上一个扇区到扇区（或块逐块）为基础的设备。
扇区结构是基于均匀扇区大小
2K字。在块擦除方式是基于均匀
的32K字块大小。扇区擦除操作initi-
通过执行一个6字节的命令序列，以ated
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。由开始的块擦除操作
执行与块擦除一个6字节的命令序列
命令（ 50H ）和块地址（ BA ）的末班车
周期。扇区或块地址被锁存在下降
边缘的6个WE＃脉冲，而命令（ 30H或
50H ）被锁定在6个WE＃脉冲的上升沿。
内部擦除操作开始后的第6个WE ＃
脉搏。该块擦除或以部门在发出的任何命令
擦除操作将被忽略，除非擦除暂停和
擦除恢复。参见图12和图13的时序波形
形式。
Flash读操作
该SST34HF162C的读操作/ 164C所配置
通过BEF ＃和OE ＃受控，两者都要低的系
统，以获得从所述输出数据。 BEF ＃被用于
设备选择。当BEF ＃是高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。
数据总线处于高阻状态时，无论BEF ＃
或OE ＃为高电平。是指在读周期时序图
进一步的细节（图6） 。
2004硅存储技术公司
S71269-01-000
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