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16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601G / SST36VF1602G
数据表
表7 ： CFI查询标识字符串
1
地址
x16模式
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
地址
x8模式
20H
22H
24H
26H
28H
2AH
2CH
2EH
30H
32H
34H
数据
2
0051H
0052H
0059H
0002H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
描述
查询独特的ASCII字符串“ QRY ”
初级OEM命令集
地址初级扩展表
备用OEM命令集（ 00H =不存在）
地址备用OEM扩展表（ 00H =无退出）
T7.0 1342
1.参考CFI出版100的更多细节。
2.在x8模式，只有数据的低字节被输出。
表8 ：系统接口信息
地址
x16模式
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
地址
x8模式
36H
38H
3AH
3CH
3EH
40H
42H
44H
46H
48H
4AH
4CH
数据
1
0027H
0036H
0000H
0000H
0004H
0000H
0004H
0006H
0001H
0000H
0001H
0001H
描述
V
DD
敏（编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
DD
马克斯（编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
PP
分钟（ 00H =无V
PP
针）
V
PP
MAX（ 00H =无V
PP
针）
典型的超时时间为2计划
N
s (2
4
= 16 s)
典型的超时时间为分钟大小的缓冲区方案2
N
微秒（ 00H =不支持）
典型的超时个别部门/块擦除2
N
MS（ 2
4
= 16毫秒）
典型的超时为芯片擦除2
N
MS（ 2
6
= 64毫秒）
最大超时的方案2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
4
= 32 s)
最大超时缓冲区方案2
N
时代典型
最大超时个人以部门/块擦除2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
4
= 32毫秒）
最大超时芯片擦2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
6
= 128毫秒）
T8.0 1342
1.在x8模式，只有数据的低字节被输出。
2006硅存储技术公司
S71342-00-000
12/06
15
