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16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601G / SST36VF1602G
数据表
TOP VIEW （球朝下）
8
7
6
5
4
3
2
A7
A11
A8
WE＃
A15
A12
A19
NC
NC
A13
A9
NC
NC
A14
A10
A16 BYTE ＃ VSS
NC
DQ15/A-1
DQ7 DQ14
DQ6的DQ13 DQ12 DQ5
DQ4
DQ3
NC
NC
WP ＃ RST ＃ RY / BY ＃
NC
NC
A6
A3
A18
A5
A2
A17
A4
A1
DQ1
VSS
A0
VDD DQ11
1342 56 - LFBGA P1.0
DQ9
OE ＃
CE＃
DQ10 DQ2
DQ0
NC
DQ8
1
A
B
C
D
E
F
G
H
图8 ：引脚分配为56引脚LFBGA （8毫米X 10毫米）
表4 ：引脚说明
符号
A
19
-A
0
名字
地址输入
功能
提供的内存地址。在扇区擦除和硬件扇区保护，
A
19
-A
11
地址线用于选择扇区。在块擦除
19
-A
15
地址
行会选择块。
要在读周期输出数据和接收过程中写周期的输入数据
数据在一个写周期内锁定。输出处于三态时，
OE ＃或CE ＃为高电平。
DQ
15
作为数据I / O引脚，当在x16模式（ BYTE ＃ = “ 1 ” ）
A
-1
用作LSB地址销时在x8模式（BYTE ＃ =“0” ）
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器
要控制写操作
要重置并返回该设备阅读模式
一个编程或擦除操作的输出状态
RY / BY ＃是一个漏极开路输出，所以10K - 100K上拉电阻是必需的
允许RY / BY ＃变为高电平，表示该设备已准备好读。
为了保护和取消保护顶部或底部8K字（ 4最外层的部门）的擦除或
程序操作。
提供2.73.6V的电源电压
未连接引脚
T4.0 1342
DQ
14
-DQ
0
数据输入/输出
DQ
15
/A
-1
CE＃
OE ＃
WE＃
RST ＃
RY / BY ＃
数据输入/输出
和LBS地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件复位
就绪/忙＃
WP ＃
BYTE ＃
V
DD
V
SS
NC
写保护
字/字节配置要选择8位或16位模式。
电源
地
无连接
2006硅存储技术公司
S71342-00-000
12/06
12
