16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601 / SST36VF1602
超前信息
T
ABLE
9: R
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
参数
T
PU- READ
T
PU- WRITE
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
373 PGM T9.1
T
ABLE
10: C
APACITANCE
（ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
373 PGM T10.0
T
ABLE
11: R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
END1
T
DR1
V
ZAP_HBM1
V
ZAP_MM1
I
LTH1
参数
耐力 - 闪光
数据保留
ESD敏感性
人体模型
ESD敏感性
机器型号
闭锁
最小规格
10,000
100
2000
200
100 + I
DD
单位
周期
岁月
伏
伏
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准A114
JEDEC标准A115
JEDEC标准78
373 PGM T11.0
注意：
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2000硅存储技术公司
12
S71142
373-3 11/00
