16兆位并行的SuperFlash

SST36VF1601 / SST36VF1602

超前信息

产品特点：

组织为1M X16

双银结构的并行

读/写操作

- 16 Mbit的底部扇区保护

- SST36VF1601 ： 12兆位+ 4兆位

- 16 Mbit的顶部扇区保护

- SST36VF1602 ： 4兆位+ 12兆位

单2.7-3.6V读写操作

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗：

- 工作电流：25 mA（典型值）

- 待机电流： 4 μA （典型值）

- 自动节能模式： 4 μA （典型值）

硬件扇区保护/ WP ＃输入引脚

- 保护4外大部分行业（ 4 KWord的）在

通过驱动WP ＃低，取消保护大型银行

通过驱动WP ＃高

硬件复位引脚（ RESET ＃ ）

- 复位内部状态机读

数据数组

扇区擦除功能

- 统一1 KWord的行业

块擦除功能

- 统一32K字块

产品说明

在SST36VF1601 / 1602顷1M x16的CMOS并行

读/写与SST的亲生产闪存

专有的，高性能的CMOS超快闪技

术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道

喷油器实现更高的可靠性和可制造性的COM

相比与备用approaches.The SST36VF1601 /

1602年写（编程或擦除）与电源2.7-3.6V

供应量。在SST36VF1601 / 1602设备符合

JEDEC标准引脚为X16的回忆。

具有高性能的字编程能力，

SST36VF1601 / 1602器件提供了一个典型字亲

克时间14微秒的。该器件使用翻转位或数据＃

轮询检测完成编程或擦除的

操作。为了防止意外写操作时，

SST36VF1601 / 1602器件具有片上硬件和

软件数据保护方案。设计，制造

捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱

SST36VF1601 / 1602器件提供了瓜拉尼

开球10000次耐力。数据额定保存

在100年以上。

读取时间

- 70和90纳秒

锁存地址和数据

快速擦除和字编程：

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：8秒（典型值）

自动写时序

- 内部V

PP

GENERATION

检测结束写入的

- 触发位

- 数据＃投票

=就绪/忙＃引脚

CMOS I / O兼容性

符合通用闪存

接口（ CFI ）

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

可用的软件包

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

在SST36VF1601 / 1602顷适合应用

需要程序方便和经济的升级，

配置或数据存储器。对于所有系统应用

中，请在SST36VF1601 / 1602显著改善per-

性能和可靠性，同时降低电力消耗

化。在SST36VF1601 / 1602本身使用更少的能源

擦除和编程比其他闪存技时

吉斯。所消耗的总能量是一个函数

施加的电压，电流和应用的时间。由于对

任何给定的电压范围， SuperFlash技术

编程电流更低，且具有更短的擦除时间内，

在任何擦除或编程消耗的总能量

操作低于其他闪存技术。该

SST36VF1601 / 1602还提高了灵活性，同时小写

荷兰国际集团的成本为程序，数据和配置存储

应用程序。

SuperFlash技术提供固定的擦除和

程序倍，独立擦除的数目/

已发生的项目周期。因此，系

统软件或硬件没有被修改或

降额，这一点不同于其他闪存技

11

12

13

14

15

16

2000硅存储技术公司的SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标并行的SuperFlash是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

373-3 11/00

S71142

规格若有变更，恕不另行通知。

1