H11G1M ， H11G2M ， H11G3M高压光电复合光耦合器
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
V
F
T
A
BV
R
C
J
I
R
正向电压
正向电压
温度。 COEF网络cient
反向击穿
电压
结电容
反向漏
当前
击穿电压
集电极到发射极
I
R
= 10A
V
F
= 0V ， F = 1MHz的
V
F
= 1V ， F = 1MHz的
V
R
= 3.0V
所有
I
F
= 10毫安
所有
所有
所有
所有
3.0
1.3
-1.8
25
50
65
0.001
10
A
1.50
V
毫伏/°C的
V
pF
特征
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
BV
首席执行官
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
H11G1M
H11G2M
H11G3M
BV
CBO
收藏家基地
I
C
= 100A
H11G1M
H11G2M
H11G3M
BV
EBO
I
首席执行官
发射器基
漏电流
集电极到发射极
V
CE
= 80V ，我
F
= 0
V
CE
= 60V ，我
F
= 0
V
CE
= 30V ，我
F
= 0
V
CE
= 80V ，我
F
= 0, T
A
= 80°C
V
CE
= 60V ，我
F
= 0, T
A
= 80°C
所有
H11G1M
H11G2M
H11G3M
H11G1M
H11G2M
100
A
100
80
55
100
80
55
7
10
100
V
nA
V
V
传输特性
符号
辐射源
CTR
电流传输
比，集电极
辐射源
饱和电压
I
F
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
F
= 16毫安，我
C
= 50毫安
I
F
= 1mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 20mA时，我
C
= 50毫安
开关时间
H11G1M/2M
H11G1M/2M
H11G3M
H11G1M/2M
H11G1M/2M
H11G3M
所有
所有
100 (1000)
5 (500)
MA（ ％ ）
特征
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
2 (200)
0.85
0.75
0.85
5
100
1.0
1.0
1.2
V
V
CE （ SAT ）
t
ON
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
R
L
= 100
, I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5V ，女
≤
30Hz,
脉冲宽度
≤
300s
s
s
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
F = 1MHz的
设备
所有
所有
所有
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
AC
PEAK
0.2
pF
*在T所有典型值
A
= 25°C
2007仙童半导体公司
H11GXM版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
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