H11G1M ， H11G2M ， H11G3M高压光电复合光耦合器
2007年5月
H11G1M ， H11G2M ， H11G3M
高压光电复合光耦合器
特点
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高BV
首席执行官
tm
概述
该H11GXM系列PHOTODARLINGTON ，光学型
光电耦合器耦合。这些器件具有镓
砷化镓红外发光二极管加上一个硅
达林顿晶体管连接有一个英特
GRAL基极 - 发射极电阻器，以优化升高的温度
TURE特点。
- 最低100V的H11G1M
- 最低80V的H11G2M
- 最低55V的H11G3M
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高灵敏度低输入电流
（最小500 ％的点击率，在我
F
= 1毫安）
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在升高的温度低的漏电流
（最大为100μA ，在80℃ ）
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美国保险商实验室（ UL）的认可
文件＃ E90700 ，第2卷
应用
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CMOS逻辑接口
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电话铃声探测器
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低输入TTL接口
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电源隔离
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取代脉冲变压器
概要
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
2007仙童半导体公司
H11GXM版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
