LM3200
PWM模式
（续）
来自振荡器补偿斜坡从该相减
误差信号为电流反馈环路的稳定性。该
最小导通时间PFET在PWM模式下为50纳秒（典型值） 。
矿山电源定序和小要求
封装尺寸大于包括UVLO的利益（在
欠压锁定）电路。
旁路模式
该LM3200包含一个内部PFET开关旁路
在旁路模式的PWM DC-DC转换器。在旁路
模式下，该PFET的是从接通到电源功率放大器直接
电池的最大射频输出功率。当部分
操作在旁路模式下，输出电压将是
输入电压小于两端的电阻上的电压降
旁路PFET 。旁路模式比能操作更有效率
在100 ％的占空比阿婷在PWM模式下，因为电阻
旁路PFET的距离受到小于串联电阻
在PWM的PFET和电感器。这转化为更高的
电压可在旁路模式中的输出，对于一个给定
电池电压。该部分可以由放置在旁路模式
发送BYP引脚为高电平。这就是所谓的强制旁路模式
它仍然在旁路模式下，直到BYP引脚变为低电平。
另外的部分可以自动进入旁路模式。
这就是所谓的自动旁路模式或自动旁路模式。
旁路开关管导通时之间的差别
输入电压和设定的输出电压低于
250毫伏（典型值）以上的旁路延迟时间为15μs，
（典型值） 。所述旁路开关断开，当输入电压是
比编程输出电压450 mV的更高（典型值）。
比旁路延迟时间较长。旁路延迟时间
是为了防止误触发到自动旁路
在V无论是尖峰或逢低模式
IN
。这种方法非常
系统资源，该旁路PFET友好开启
时自动将输入电压变得接近
输出电压，放电电池的典型方案。这是
也被关断时自动输入电压上升时，
典型的场景连接的充电器。另一种情况
可以更改V做
CON
电压造成绕道
PFET打开和自动关闭。建议
直接连接BYPOUT引脚输出电容用
单独的跟踪，而不是FB引脚。
动态可调节输出
电压
该LM3200设有动态可调输出电压
消除需要外部反馈电阻。该
输出可以从0.8V被设置为3.6V ，通过改变电压
在模拟V
CON
引脚。此功能在PA是非常有用的应用
系统蒸发散在那里峰值功率仅在需要时听筒
远离基站或当数据正在被传输
mitted 。在其它情况下，发射功率可
减少。因此，在电源电压到PA可以重新
duced ，促进更长的电池寿命。看
设置输出
电压
在
应用信息
部分进一步
详细信息。
过电压保护
该LM3200具有过电压比较器，以防止
的输出电压上升过高。如果输出电压
上升到330毫伏以上的目标时， OVP比较抑制
PWM操作跳过脉冲，直到输出电压恢复
到目标。典型的OVP比较可被激活
在V
CON
步骤从一个高的特别步骤，一个低
电压。在过电压保护模式时，无论是
PWM PFET和NFET同步整流器关闭。
当一部分出来过电压保护
模式下， NFET同步整流器保持关闭AP-
近因3.5微秒，避免电感电流变为负值。
内部同步整流
而在PWM模式下， LM3200使用内部NFET作为
同步整流，以降低整流正向电压
下降，相关的功率损耗。同步整流
提供了一种显著改善效率每当
相对于电压的输出电压是比较低的
跨越一个普通的整流二极管压降。
中等和重负载时，内部NFET同步的
电感器电流下降期间常识整流器导通
斜坡在每个周期的第二部分。同步
整流器之前，下一个周期截止。没有零
交叉检测，这意味着该NFET的可进行电流
租在两个方向上和电感电流总是CON-
连续的。这种方法的优点在于，部分再
电源在PWM模式下在轻负载或无负载情况下。该
NFET具有电流限制。在NFET被设计成进行
在经过短暂的时间间隔的本征体二极管
它导通之前，省去了外部二极管。
工作模式选择控制
该BYP数字输入引脚用于PWM之间进行选择/
自动旁路和旁路工作模式。设置BYP引脚
HIGH （
＆ GT ;
1.2V ）将器件置于强制旁路模式。
设置BYP引脚为低电平（
＆ LT ;
0.4V）或离开它漂浮的地方
器件工作在PWM /自动旁路模式。
在过渡期间绕道及PWM操作重叠
在两个模式之间。这个过渡时间是近似
从PWM切换到旁路模式时，三方共同31微秒，
和15微秒的旁路转换到PWM模式时。这
有助于防止下或在过渡期间过冲PE-
PWM和旁路模式之间的荒漠化问题。
限流
电流限制功能使LM3200来保护自己，
在过载条件下的外部元件。在PWM
模式， 940 MA（最大）的逐周期电流限制属于正常
马利使用。如果过大的负荷将输出电压
到低于大约低于0.375V ，表示可能
对地短路，则设备切换到计时电流
极限模式。在计时电流限制模式下，内部PFET
开关被关断电流比较器跳闸后，与
开始下一个周期的被抑制为3.5微秒，迫使
瞬时电感电流斜坡下降到安全值。
在3.5微秒的时间间隔后，将内部的PFET导通
再次。该循环被重复，直到负载减小和
输出电压超过约低于0.375V 。 There-
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关断模式
设置数字EN引脚为低电平（
＆ LT ;
0.4V ）放置在LM3200
0.1 μA （典型值）关断模式。关断期间， PFET
开关， NFET同步整流器，参考电压
源，控制和LM3200的偏置电路关
关。设置EN为高电平（
＆ GT ;
1.2V）能够进行正常操作。
EN应设置低电期间关闭LM3200
和电压条件下，当电源是少
大于2.7V的最小工作电压。该LM3200是
设计为紧凑的便携式应用，例如移动
手机。在这样的应用中，系统控制器阻止 -
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