EMF33
晶体管
电源管理，
双芯片双极晶体管
EMF33
应用
电源管理电路
尺寸
（单位：毫米）
EMT6
1.6
0.5
特点
1 ） DTB513Z （数码管）和2SK3019 （ MOS FET ）是
在EMT6封装独立封装。
2）电源开关电路在单个封装中。
3 ）安装成本和面积可减少一半。
1.0
0.5 0.5
(6) (5) (4)
1.6
1.2
1PIN MARK
(1) (2) (3)
0.22
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F33
结构
外延Plannar硅晶体管
包装规格
包
TYPE
EMF33
Tr1
Tr2
2
等效电路
TAPING
T2R
8000
(6)
(5)
1
(4)
CODE
基本订购单位（件）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
<Tr1>
R
2
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
内置晶体管的特性。
符号
V
CC
V
IN
I
C（最大值）
范围
12
10
+5
500
单位
V
V
mA
R
1
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）排水
（ 4 ）资料来源
（ 5 ）门
（ 6 ）集电极
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
TR1 ：v
1
/R
2
=1k/10k
TR2 ： MOS FET
<Tr2>
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
反向漏电流
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
范围
30
±20
100
200
100
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
PW≤10ms责任cycle≤50 ％
<Tr1 ，TR2中common>
参数
功耗
结温
储存温度范围
符号
P
D
Tj
TSTG
范围
150
120
150
55
+150
单位
毫瓦/总
毫瓦/元
°C
°C
每个端子安装在一个推荐的土地。
1/2
