EMF33
晶体管
电源管理，
双芯片双极晶体管
EMF33
应用
电源管理电路
尺寸
（单位：毫米）
EMT6
1.6
0.5
特点
1 ） DTB513Z （数码管）和2SK3019 （ MOS FET ）是
在EMT6封装独立封装。
2）电源开关电路在单个封装中。
3 ）安装成本和面积可减少一半。
1.0
0.5 0.5
(6) (5) (4)
1.6
1.2
1PIN MARK
(1) (2) (3)
0.22
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F33
结构
外延Plannar硅晶体管
包装规格
包
TYPE
EMF33
Tr1
Tr2
2
等效电路
TAPING
T2R
8000
(6)
(5)
1
(4)
CODE
基本订购单位（件）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
<Tr1>
R
2
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
内置晶体管的特性。
符号
V
CC
V
IN
I
C（最大值）
范围
12
10
+5
500
单位
V
V
mA
R
1
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）排水
（ 4 ）资料来源
（ 5 ）门
（ 6 ）集电极
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
TR1 ：v
1
/R
2
=1k/10k
TR2 ： MOS FET
<Tr2>
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
反向漏电流
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
范围
30
±20
100
200
100
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
PW≤10ms责任cycle≤50 ％
<Tr1 ，TR2中common>
参数
功耗
结温
储存温度范围
符号
P
D
Tj
TSTG
范围
150
120
150
55
+150
单位
毫瓦/总
毫瓦/元
°C
°C
每个端子安装在一个推荐的土地。
1/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMF33
晶体管
电源管理，
双芯片双极晶体管
EMF33
应用
电源管理电路
尺寸
（单位：毫米）
EMT6
1.6
0.5
特点
1 ） DTB513Z （数码管）和2SK3019 （ MOS FET ）是
在EMT6封装独立封装。
2）电源开关电路在单个封装中。
3 ）安装成本和面积可减少一半。
1.0
0.5 0.5
(6) (5) (4)
1.6
1.2
1PIN MARK
(1) (2) (3)
0.22
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F33
结构
外延Plannar硅晶体管
包装规格
包
TYPE
EMF33
Tr1
Tr2
2
等效电路
TAPING
T2R
8000
(6)
(5)
1
(4)
CODE
基本订购单位（件）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
<Tr1>
R
2
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
内置晶体管的特性。
符号
V
CC
V
IN
I
C（最大值）
范围
12
10
+5
500
单位
V
V
mA
R
1
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）排水
（ 4 ）资料来源
（ 5 ）门
（ 6 ）集电极
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
TR1 ：v
1
/R
2
=1k/10k
TR2 ： MOS FET
<Tr2>
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
反向漏电流
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
范围
30
±20
100
200
100
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
PW≤10ms责任cycle≤50 ％
<Tr1 ，TR2中common>
参数
功耗
结温
储存温度范围
符号
P
D
Tj
TSTG
范围
150
120
150
55
+150
单位
毫瓦/总
毫瓦/元
°C
°C
每个端子安装在一个推荐的土地。
Rev.A的
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附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。
ROHM
客户支持系统
www.rohm.com
版权所有
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欧洲
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TEL ： + 81-75-311-2121
传真： + 81-75-315-0172
Appendix1-Rev2.0
QQ：2881677436 复制
