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EM25LV010
1兆位（ 128K ×8 ）串行闪存
规范
设备操作
该EM25LV010使用了指令以启动该内存操作函数。该
指令由断言串行数据输入（ D）投入，同时保持芯片写入设备
选择（S ＃ ）低，并且锁定在串行时钟（ C）的上升沿。
手术
读
写
待机
深度掉电模式
1
HOLD
写保护
状态寄存器写
3
抑制
2
S#
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
HOLD ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
W#
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
D
X
地址/数据输入
X
X
X
X
X
Q
数据输出
高Z /
状态寄存器输出
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
注意：
1
请参阅表7的指令集的深度掉电模式。
2
写保护使能状态寄存器参数BP0和BP1 （见表4） 。
3
状态寄存器写禁止将与状态进行组合寄存器写禁止（ SRWD ）和
写保护（W ＃ ） （见表6） 。
表5：
EM25LV010设备操作
锁定功能
的保持（HOLD ＃ ）信号允许EM25LV010操作被暂停，而它是积极
带有S ＃在低选择。进入到保持条件，该设备必须与所选
芯片选择（S ＃ ）为低电平。不过，设置该信号保持低不会终止任何写
状态寄存器，程序或擦除周期正在进行中。
的保持条件开始对保持（HOLD ＃ ）信号的下降沿，其前提是这
与串行时钟（ C）的总量为低（图9中示出）重合。保持状态结束于
的保持（HOLD ＃ ）信号的上升沿，其前提是这与串行时钟（C）的重合
处于低为好。
如果下降沿不与串行时钟（ C）重合处于低电平时，保持病情会
开始时，串行时钟（ C）变低。同样，如果串行时钟（ C）是不为低，则保持
条件将结束时，串行时钟（ C）变为低（这被示于图9）。在
保持状态下，串行数据输出（ Q）为高阻抗，串行数据输入（D ）
&串行时钟（C）是不在乎。
通常情况下，器件将保持选择带片选（S ＃ ）的整个期间驱动为低电平
的保持状态。这是为了确保在内部逻辑的状态保持不变
的那一刻起就进入保持状态。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年11月8日V1.0 ）
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