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EM25LV010
1兆位（ 128K ×8 ）串行闪存
规范
写状态寄存器（ WRSR ）指令通过驱动芯片选择（S ＃ ）低输入，
其次是指令代码和串行数据输入（ D）的数据字节。该指令
序列示于图13中的写状态寄存器（WRSR ）指令不起作用
在第6位， 5 ， 4 ， 1 ， & 0状态寄存器。位6 ， 5 ， & 4顷总是读为“0”。
芯片选择（S ＃ ）必须驱动为高电平后的数据字节的第八位被锁定英寸
否则，写状态寄存器（ WRSR ）指令将不会执行。一旦芯片
选择（S ＃ ）驱动为高电平，自定时写状态寄存器周期（其持续时间TW ）是
发起。而写入状态寄存器周期正在进行中，状态寄存器仍可能
读检查（BUSY ）位的值。在（忙）位为“ 1 ”时的自定时写
状态寄存器的周期，并且是“0”时，它被完成。在之前的某个不确定的时间
周期完成时，写入使能锁存器（ WEL）被复位。
写状态寄存器（ WRSR ）指令允许用户更改块的值
保护（ BP1，BP0）位，并确定要被处理为只读的区域的大小
表4.写状态寄存器定义（ WRSR ）指令还允许用户设置
或重置状态寄存器写入按照写保护关闭（ SRWD ）位
（W＃ ）信号。状态寄存器写禁止（ SRWD ）位和写保护（ W＃ ）信号
允许设备放在硬件保护模式（ HPM ） 。写状态寄存器
（ WRSR ）指令不会一次保护模式（ HPM）的硬件来执行的
输入。
读数据字节（读）
读数据指令允许一个或多个数据字节被从读入顺序
内存。该指令由驱动芯片选择（S ＃ ）低启动。该指令
对读数据的字节代码（READ）指令之后是3字节地址（ A23- A0） ，
在串行时钟（ C）的上升沿每一位被锁存。然后在存储器中的数据
该地址被移出串行数据输出（ Q）与每一位被移出以
串行时钟（ C）的下降沿时最大频率FR 。
该指令序列示于图14的第一个字节的地址，可以位于任何
位置。之后的每个地址自动递增到下一个更高的地址
数据字节移出。整个内存可以，因此，要读一个单一的阅读
数据字节（ READ ）指令。当最高地址为止，地址计数器
翻转到000000 ，允许读序列无限期地持续下去。
所读取的数据字节（读）指令时，通过驱动芯片选择（S ＃ ）高终止。
芯片选择（S ＃ ） ，可驱动高的数据输出期间的任何时间。任何读取数据字节
（READ ）指令执行时程序或写周期正在进行中，被拒绝不
其对周期正在进行中的任何影响。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年11月8日V1.0 ）
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