STK14C88
操作的nvSRAM
该STK14C88有两个独立的操作模式
化：
SRAM
模式和非易失性模式。在
SRAM
模式下，存储器操作为标准快
STATIC
内存
。在不消失模式，数据被转移
从
SRAM
到非易失性元素（
商店
操作）或非易失性元件来
SRAM
（该
召回
操作）。在此模式下
SRAM
功能
就失效。
上电
召回
上电时，或在任何低功耗状态
(V
帽
＆ LT ; V
RESET
），内部
召回
请求将被
锁存。当V
帽
再次超过所述感
V的电压
开关
, a
召回
循环会自动
发起并会采取吨
恢复
来完成。
如果STK14C88是在一个
写
状态时的端
上电
召回
中，
SRAM
数据将被破坏。
为了避免这种情况，一个10K欧姆的电阻
应连接要么之间W和系统
V
CC
或E和System V之间
CC
.
噪声考虑
该STK14C88是一个高速存储器等
必须具有的高频旁路电容器
大约0.1μF连接V之间
帽
和
V
SS
使用线索和痕迹是短POS-
sible 。与所有高速
CMOS
集成电路，正常的护理 -
电源，接地和信号FUL路由将有助于
防止噪音的问题。
软件非易失
商店
该STK14C88软件
商店
周期是由发起
执行顺序
E
控制
读
从周期
六个具体地址位置。在
商店
周期之前的非易失性数据的擦除是
首先执行，然后是nonvol-的一个程序
atile元素。该程序运行复制
SRAM
数据到非易失性存储器。一旦
商店
周期开始，进一步的输入和输出都显示
禁止时，直到周期结束。
由于一个序列
读
从固有的S
地址被用于
商店
开始时，它一点很
坦没有其他
读
or
写
访问接口
vene序列中，或该序列将是
中止，没有
商店
or
召回
会发生。
要启动软件
商店
周期，以下
读
序列必须执行：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0E38 （十六进制）
31C7 （十六进制）
03E0 （十六进制）
3C1F （十六进制）
303F （十六进制）
0FC0 （十六进制）
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
商店
周期
SRAM读
该STK14C88执行
读
周期时ê
和G是低和W和HSB高。该
地址引脚上的一个特定的编
0-14
确定其中
在32,768个数据字节将被访问。当
读
由地址转换启动的，则输出
吨的延迟后卖出期权的有效期
AVQV
(
读
周期
＃1） 。如果
读
用E或G发起，输出将
是在t有效
ELQV
或者在t
GLQV
，以较迟者为准（
读
周期＃2）。数据输出将反复回应
内的T地址变更
AVQV
无需访问时间
需要进行任何控制输入引脚的转换，并
将继续有效，直到另一个地址变更，或直至
E或G被拉高，或W或HSB变为低电平。
SRAM写
A
写
循环执行时E和W分别
LOW和HSB高。地址输入必须是
稳定之后才能进入
写
周期和必须的
保持稳定，直到东或者西变高的
循环的结束。对通用I / O引脚的数据
DQ
0-7
将被写入到存储器，如果它是有效吨
DVWH
在W的端部控制的前
写
或T
DVEH
一个E年底前控制
写
.
建议使得G保持高时的
整个
写
周期，以避免数据总线争用
通用I / O线。若G是左低，内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
W后变低。
该软件程序的时钟必须有E CON-
受控
读
s.
一旦该序列中的第六个地址已
输入，则
商店
周期将开始与
芯片将被禁用。重要的是
读
周期
不
写
个周期的序列中被使用，
虽然没有必要使G是低的
序列是有效的。之后的T
商店
周期时间具有
得到满足时，
SRAM
将再次进行激活
读
和
写
操作。
文件控制＃ ML0014版本2.0
2008年2月
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