STK14C88
自动存储禁止模式
当自动
商店
上的功率损耗是不
需要，则V
CC
可连接到地面和系
TEM电源加在V
帽
（图2） 。这是
自动存储禁止模式，其中，自动存储功能
化被禁用。如果STK14C88在该操作
配置，参考V
CC
应该改变
到V
帽
在本数据手册。在这种模式下，
存储操作可以通过软触发
洁具控制。这是不允许改变
这三个选项之间“在飞行中”。
允许一个时间t
延迟
，即可完成。然而，任何
SRAM写
次要求后HSB变低
将被禁止，直到返回HSB高。
在HSB引脚可用于同步多个
STK14C88s而使用单个较大的电容器。对
工作在这种模式下， HSB销应CON
已连接在一起的HSB销从另一
STK14C88s 。一个外部上拉电阻到+ 5V是
必需的，因为HSB作为一个漏极开路下拉。
在V
帽
从其他STK14C88份销可
是绑在一起并共享单个电容器。该
电容器的大小必须通过的数量来缩放
连接到它的设备。当的任何一个
STK14C88s检测到的功率损耗，并声称HSB ，
常见的HSB引脚将导致所有零件要求
a
商店
周期（一
商店
将在这些
已写入自上次STK14C88s
非易失性周期） 。
在任何
商店
操作中，不论它是如何
在启动时， STK14C88将继续推动
在HSB引脚为低电平，释放它，只有当
商店
is
完整的。一旦竣工
商店
手术
该STK14C88将保持禁用，直到HSB
引脚为高电平。
如果HSB不使用，应悬空。
16
17
0.1F
绕行
1
32
31
30
10KΩ
10K?
10KΩ
10K?
最佳实践
图2 ：自动存储禁止模式
HSB操作
该STK14C88提供了HSB引脚用于控制
并承认
商店
操作。在HSB
引脚可用于请求硬件
商店
周期。
当HSB引脚驱动为低电平时， STK14C88会
有条件启动
商店
吨后操作
延迟
;
实际
商店
周期只有将如果开始
写
to
该
SRAM
发生了自上次
商店
or
召回
周期。在HSB引脚有一个非常电阻
上拉和内部驱动为低电平，表示忙碌
条件而
商店
（通过任何方式发起）
正在进行中。拉起该引脚与外部10K
欧姆的电阻到V
帽
如果HSB用作驱动程序。
SRAM读
和
写
操作是
的nvSRAM产品得到了有效的使用
超过15年。而易于使用性是在本产品中的一个
UCT的主要系统值，获得的经验与工作
荷兰国际集团与数百个应用程序已导致
以下建议的最佳实践：
非易失性细胞中的nvSRAM是亲
在最终测试中编程的测试地板
质量保证。进料检验程序
在客户或合同制造商的网站会
有时重新编程这些值。最后NV巳
燕鸥是典型的重复AA ， 55模式，
00 ， FF ，A5或5A 。最终产品的固件应该
不承担NV数组是一组编程
状态。该检查内存内容val-程序
的UE ，以确定第一时间的系统配置，
冷或热启动状态等应经常亲
克一个独特的NV模式（例如，复杂的4字节
46 E6 49 53 （十六进制）或更多的随机模式
字节）作为最终的系统制造的一部分
测试，以确保这些系统例程的工作consis-
tently 。
当HSB被拉低以任何方式进步是
定时间之前完成
商店
手术
被启动。经过HSB变为低电平时， STK14C88会
CONTINUE
SRAM
对于T运营
延迟
。在t
延迟
,
多种
SRAM读
操作可能发生。如果一个
写
正在进行时HSB被拉低它会
文件控制＃ ML0014版本2.0
2008年2月
11
