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怀特电子设计
WV3EG264M72ESFR-D4
先进
DDR I
DD
规格和条件
0 ° C≤牛逼
例
< + 70°C ; V
CCQ
= +2.5V ± 0.2V, V
CC
= +2.5V ± 0.2V
符号
I
DD0
条件
工作电流 - 一家银行主动预充电;
t
RC
= t
RC
（分钟） ;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ; DQ ， DM和DQS
输入每个时钟周期改变的两倍;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
工作电流 - 一家银行的操作;
一家银行开放， BL = 4 ，读取 - 请参考下页详细的测试条件
Percharge掉电待机电流;
所有银行闲置;电源 - 省电模式; CKE = <V
IL
（MAX） ;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的了
DDR266A & DDR266B ; V
IN
= V
REF
针对DQ ， DQS和DM
预充电浮动待机电流;
CS ＃ > = V
IH
（分钟） ;所有的银行闲置; CKE > = V
IH
（分钟） ;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的了
DDR266A & DDR266B ;地址和其它控制输入每个时钟周期改变一次;
V
IN
= V
REF
针对DQ ， DQS和DM
有功功率 - 下待机电流;
一家银行主动;掉电模式; CKE = < V
IL
（MAX） ;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的了
DDR266A & DDR266B ; V
IN
= V
REF
针对DQ ， DQS和DM
当前待机电流;
CS ＃ > = V
IH
（分钟） ; CKE> = V
IH
（分钟） ;一家银行主动;主动 - 预充电;吨
RC
= t
RAS
最大;吨
CK
=
为100Mhz的DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ; DQ ， DQS和DM输入变化
每两次时钟周期;地址和其它控制输入每个时钟周期改变一次
工作电流 - 突发读取;
突发长度= 2 ;读取; continguous爆裂;一家银行主动;地址和控制输入
每个时钟周期改变一次; CL = 2在t
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， CL = 2在t
CK
= 133Mhz的了
DDR266A ， CL = 2.5在t
CK
= 133Mhz的为DDR266B ; 50 ％的数据在每一个突发的变化;
l
OUT
= 0为m的
工作电流 - 突发写入;
突发长度= 2 ;写;连拍;一家银行主动的地址和控制输入
每个时钟周期改变一次; CL = 2在t
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， CL = 2在t
CK
= 133Mhz的了
DDR266A ， CL = 2.5在t
CK
= 133Mhz的为DDR266B ; DQ ， DM和DQS输入两次转变
每个时钟周期，输入数据的50％变化在每一个突发
自动刷新电流;
t
RC
= t
RFC
（分钟） - 8 * T
CK
对于DDR200在100MHz ， 10 * T
CK
对于DDR266A & DDR266B在133Mhz的;
分布式刷新
自刷新电流;
CKE = < 0.2V ;外部时钟应该是;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A
& DDR266B
Orerating电流 - 四大银行的操作;
四大银行， BL = 4 - 参照下面交织下页详细的测试条件
335
1,215
262
1,215
265
1,080
单位
mA
I
DD1
I
DD2P
1,485
90
1,485
90
1,350
90
mA
mA
I
DD2F
810
810
720
mA
I
DD3P
630
630
540
mA
I
DD3N
900
900
810
mA
I
DD4R
1.530
1.530
1,350
mA
I
DD4W
1,440
1,440
1,260
mA
I
DD5
5,220
5,220
5,040
mA
I
DD6
90
90
90
mA
I
DD7A
3,690
3,645
3,195
mA
典型案例： V
CC
= 2.5V ，T = 25°C
最糟糕的情况： V
CC
= 2.7V ，T = 10℃
注：我
DD
特定网络连接的阳离子都是基于美光组件。其它DRAM制造商特定网络连接caitons可以是不同的。
2005年8月
第0版
5
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